[发明专利]一种具有梳状电流分布的半导体激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种具有梳状电流分布的半导体激光器，其特征在于，半导体激光器包括衬底、金属接触层和欧姆接触层，其中，所述衬底、金属接触层和欧姆接触层之一采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与金属接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述金属接触层与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底、金属接触层和欧姆接触层采用电阻梳状分布结构。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括在所述衬底上依次设置的下限制层、下波导层、有源区、上波导层和上限制层和在所述衬底下设置的背电极层，以及在所述金属接触层上设置的上电极层；欧姆接触层设置在上限制层和金属接触层之间；其中，所述下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层构成外延结构。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器采用折射率导引结构或者增益导引结构。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，在所述衬底、下波导层或者上波导层制备光栅结构。

5.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述外延结构还包括横模限制结构。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述电阻梳状分布结构的分布规律是全部电阻值呈梳状高低分布，或者是部分区域电阻值呈梳状高低分布，其他区域电阻值呈均一分布。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述电阻梳状分布结构呈每个高电阻区面积大小均一，同时每个低电阻区面积大小均一的周期分布；或者呈各个高电阻区面积大小和各个低电阻区面积大小均不均一但有规律的分布。

8.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，当所述欧姆接触层采用电阻梳状分布结构时，所述上限制层采用电阻梳状分布结构，其分布规律是上限制层的全部电阻值呈梳状高低分布，或者是上限制层的部分区域电阻值呈梳状高低分布，其他区域电阻值呈均一分布。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述电阻梳状分布结构中，高低电阻区的占空比一致或者不一致。

10.一种制作如权利要求1-9中任一项所述的半导体激光器的方法，其特征在于，所述电阻梳状分布结构的制作方法为：

当所述金属接触层和/或欧姆接触层采用电阻梳状分布结构时，利用电子束曝光或全息光刻制备电阻梳状分布；

当所述衬底采用电阻梳状分布结构时，衬底经电子束曝光或全息光刻后通过掺杂制备高电阻区。