[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201611021606.9 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108083225A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 固化胶 背面 感光 背腔 电子装置 振膜 制备 固化 蚀刻 聚酰亚胺 类似材料 聚合物 麦克风 低频区 牺牲层 永久膜 电容 背板 光刻 刻蚀 去除 掩膜 保留 覆盖 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供晶圆，在所述晶圆的正面依次形成有振膜、牺牲层和背板；
在所述晶圆的背面形成感光固化胶，以覆盖所述晶圆的背面；
对所述感光固化胶进行光刻和固化，以露出部分所述晶圆的背面；
对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻，以形成背腔并露出所述振膜，同时保留剩余的所述感光固化胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述感光固化胶的固化温度小于200℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述感光固化胶的厚度为5～100μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述感光固化胶包括聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述背腔的深度为300～400um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括去除所述牺牲层，以在所述振膜和所述背板之间形成空腔的步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，使用缓冲蚀刻工艺去除所述牺牲层。
8.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：
晶圆；
振膜，位于所述晶圆的正面上；
背板，位于所述振膜的上方；
空腔，位于所述振膜和所述背板之间；
背腔，形成于所述晶圆的背面并露出部分所述振膜；
感光固化胶，位于所述背腔外侧的所述晶圆的背面上。
9.根据权利8所述的MEMS器件，其特征在于，所述感光固化胶的固化温度小于200℃。
10.根据权利8所述的MEMS器件，其特征在于，所述感光固化胶的厚度为5～100um。
11.根据权利8所述的MEMS器件，其特征在于，所述感光固化胶包括聚酰亚胺。
12.根据权利8所述的MEMS器件，其特征在于，所述背腔的深度为300～400um。
13.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求8至12之一所述的MEMS器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611021606.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
