[发明专利]研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，是对在表面形成有凸部的晶片进行研磨的方法，其特征在于，

该研磨方法包括如下工序：

使支承研磨垫的研磨台旋转，

将晶片的表面按压于所述研磨垫，

在所述研磨台最近的规定次数的旋转期间内取得来自设置于所述研磨台的膜厚传感器的多个膜厚信号，

根据所述多个膜厚信号决定最近的多个测定膜厚，

基于所述最近的多个测定膜厚决定所述凸部的最顶部的推定膜厚，

基于所述凸部的最顶部的推定膜厚对晶片的研磨进行监视。

2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

决定所述凸部的最顶部的推定膜厚的工序是如下工序：

对由所述最近的多个测定膜厚和所对应的所述研磨台的旋转次数特定的多个数据点进行回归分析而决定回归线，

通过将所述研磨台的当前的旋转次数代入表示所述回归线的函数来决定推定膜厚。

3.根据权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，

决定所述凸部的最顶部的推定膜厚的工序还包括如下工序：

在决定了所述回归线之后将位于所述回归线下侧的数据点中的至少1个数据点从所述多个数据点排除，

对所述多个数据点中的将所述至少1个数据点排除后所剩余的数据点进行回归分析而决定新的回归线，

通过将所述研磨台的当前的旋转次数代入表示所述新的回归线的函数来决定推定膜厚。

4.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

决定所述凸部的最顶部的推定膜厚的工序是如下工序：

对由所述最近的多个测定膜厚和所对应的所述研磨台的旋转次数特定的多个数据点进行回归分析而决定回归线，

通过将规定的偏置值与将所述研磨台的当前的旋转次数代入表示所述回归线的函数而获得的值相加，来决定推定膜厚。

5.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

决定所述凸部的最顶部的推定膜厚的工序是如下工序：

生成所述最近的多个测定膜厚的概率分布，

决定更小的测定膜厚的概率成为规定的值的推定膜厚。

6.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

所述膜厚传感器是具有脉冲点亮光源的光学式传感器。

7.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

所述膜厚传感器是涡电流传感器。

8.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述凸部的最顶部的推定膜厚决定晶片的研磨终点。

9.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述凸部的最顶部的推定膜厚变更晶片的研磨条件。

10.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述凸部的最顶部的推定膜厚的当前值和过去值，在所述膜厚传感器接下来取得膜厚信号之前，对所述凸部的最顶部的膜厚进行预测，基于预测出的所述膜厚决定晶片的研磨终点。