[发明专利]在基体的表面形成凸起结构的方法

权利要求书

1.一种在基体的表面形成凸起结构的方法，其特征在于，该方法包括：

在基体的表面形成牺牲层；

在所述牺牲层表面形成第一掩模层；

在所述第一掩模层中形成开口图形，并对从所述开口图形底部露出的所述牺牲层进行蚀刻，以在所述牺牲层中形成与该开口图形对应的凹陷部，所述基体的表面从所述凹陷部的底部露出,所述凹陷部的侧壁为曲面；

去除所述第一掩模层的剩余部分；

在所述凹陷部内填充第二掩模层材料，以形成与所述凹陷部的形状对应的第二掩模层图形；

去除所述牺牲层的剩余部分，并在所述基体的表面保留所述第二掩模层图形；

以所述第二掩模层图形为蚀刻掩模，对所述基体的表面进行蚀刻，以在所述基体的表面形成凸起结构,

其中，在基体的表面形成牺牲层包括：

在所述基体的表面形成第一光刻胶层；以及

对所述第一光刻胶层进行全面曝光，以将所述第一光刻胶层转化为所述牺牲层,

所述第一掩模层是第二光刻胶层，

形成所述开口图形和所述凹陷部的步骤包括:

对所述第一掩模层进行曝光；

使用显影液，对曝光后的第一掩模层进行显影处理，以形成所述开口图形；以及

对从所述开口图形露出的所述牺牲层进行显影处理，以形成所述凹陷部。

2.如权利要求1所述的在基体的表面形成凸起结构的方法，其特征在于，形成所述第二掩模层图形包括：

在所述牺牲层的整个表面沉积所述第二掩模层材料，其中，所述第二掩模层材料被填充于所述凹陷部内；以及

去除所述凹陷部之外的所述第二掩模层材料，仅保留凹陷部内的第二掩模层材料，以形成与所述凹陷部的形状对应的所述第二掩模层图形。

3.如权利要求1所述的在基体的表面形成凸起结构的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对于在所述基体的表面保留的所述第二掩模层图形进行，使所述第二掩模层图形的边角光滑的处理。