[发明专利]鳍式场效晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201611024470.7 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106887389A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种鳍式场效晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
图案化衬底以形成多个位于所述衬底内的沟槽以及位于所述多个沟槽之间的半导体鳍片；
于所述多个沟槽内形成多个绝缘体；
形成第一介电层以覆盖所述半导体鳍片与所述多个绝缘体；
于所述第一介电层上形成拟栅极条，所述拟栅极条的长度方向不同于所述半导体鳍片的长度方向；
于所述拟栅极条的多个侧壁上形成一对间隙物；
移除所述拟栅极条与位于所述拟栅极条下方的所述第一介电层直到所述一对间隙物的多个侧壁、所述半导体鳍片的一部分以及所述多个绝缘体的多个部分被暴露出来；
形成第二介电层以顺应地覆盖所述间隙物的侧壁、所述半导体鳍片被暴露出来的所述部分以及所述绝缘体被暴露出来的部分，其中所述第一介电层的厚度小于所述第二介电层的厚度；以及
于所述第二介电层上以及所述一对间隙物之间形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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