[发明专利]一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法

权利要求书

1.一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法，其特征在于，将氟磺酰亚胺锂与二维稳定材料的层结构复合连接，在冷冻条件下研磨组装而成，具体方法如下：

A、将氟磺酰亚胺锂与二维稳定材料以质量比100:（10-20）称量；

B、将步骤A称量的二维稳定材料与活性剂在球磨机或者砂磨中研磨活化，使层间界面具备活性，然后进行喷雾干燥；

C、将步骤B干燥的活化二维稳定材料与步骤A称量的氟磺酰亚胺锂混合，加入适量丙酮，配制成浆体，在冷冻条件下进行机械力剪切组装，使氟磺酰在活化的二维稳定材料层界面连接组装，形成以层界面为固定基体的层层组装复合体；

D、将步骤C的组装复合体低温真空干燥得到改性的氟磺酰亚胺锂电解质。

2.根据权利要求1所述一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法，其特征在于：所述氟磺酰亚胺锂选自双(三氟甲基磺酰)亚胺锂、（氟磺酰）（三氟甲基磺酰）亚胺锂、（氟磺酰）（五氟乙基磺酰）亚胺锂、双(氟磺酰)亚胺锂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法，其特征在于：所述二维稳定材料为层状纳米尺度的二氧化锰、三氧化二钴、氧化钼、硫化锰、硫化钼、石墨烯中的至少一种。

4.根据权利要求1所述一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法，其特征在于：所述的活化剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基乙醇磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、1-吡啶酸中的一种，使用量为二维稳定材料质量的1-2%。

5.根据权利要求1所述一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法，其特征在于：研磨活化的层厚小于10nm。

6.根据权利要求1所述一种抑制氟磺酰亚胺锂电解质腐蚀性的方法，其特征在于：所述剪切力组装采用射流机、超声波振荡、均质机之一产生的剪切力实现组装。