[发明专利]一种CNN动态可重构的联想记忆电路有效
申请号: | 201611027068.4 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN106779058B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 刘砚一;刘文波;吴寅 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063;G06N3/06 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cnn 动态 可重构 联想 记忆 电路 | ||
1.一种CNN动态可重构的联想记忆电路装置,其特征在于:所述联想记忆电路装置包括耦合的第1细胞神经元电路和第2细胞神经元电路,第1细胞神经元电路和第2细胞神经元电路的电路结构相同,均包括:
外部信号输入端,用于接收外部输入信号;
模板参数控制端,用于接收模板A参数、模板B参数和偏置量参数,通过改变这3个参数值,实现联想记忆电路在各种记忆模板之间进行动态转换;
记忆信号输出端,用于输出联想记忆结果;
运算电路,它分别与外部信号输入端、模板参数控制端和记忆信号输出端相连,用于对外部输入信号、模板A参数、模板B参数和偏置量参数进行运算操作,得到联想记忆结果;
运算电路根据如下稳定状态方程得到联想记忆的结果:
上式中,ui为第i个细胞神经元电路的外部输入信号;bi为第i个细胞神经元电路的模板B参数;ai1,ai2为第i个细胞神经元电路的模板A参数;zi为第i个细胞神经元电路的偏置量参数;xi为第i个细胞神经元电路的系统状态变量;y(xi)为第i个细胞神经元电路的输出信号;
第1细胞神经元电路的输出信号反馈给第2细胞神经元电路,第2细胞神经元电路的输出信号反馈给第1细胞神经元电路。
2.根据权利要求1所述一种CNN动态可重构的联想记忆电路装置,其特征在于:所述第i个细胞神经元电路的模板A参数ai1,ai2,i=1,2,满足下列两个不等式组之一:
or
此时联想记忆电路的输出能够收敛于稳定值。
3.根据权利要求1所述一种CNN动态可重构的联想记忆电路装置,其特征在于:定义联想记忆电路的输入、输出电压的逻辑为-1和1,其中逻辑-1对应于逻辑0,逻辑1对应于逻辑1,所述记忆模板包括[1,1]、[1,-1]、[-1,1]、[-1,-1]4种,其中,记忆模板[1,1]的功能为,无论第1、第2细胞神经元电路的输入为何种逻辑组合,第1、第2细胞神经元电路的输出逻辑组合均为[1,1],记忆模板[1,-1]的功能为,无论第1、第2细胞神经元电路的输入为何种逻辑组合,第1、第2细胞神经元电路的输出逻辑组合均为[1,-1],记忆模板[-1,1]的功能为,无论第1、第2细胞神经元电路的输入为何种逻辑组合,第1、第2细胞神经元电路的输出逻辑组合均为[-1,1],记忆模板[-1,-1]的功能为,无论第1、第2细胞神经元电路的输入为何种逻辑组合,第1、第2细胞神经元电路的输出逻辑组合均为[-1,-1];
当需要实现记忆模板[1,1]时,模板A参数、模板B参数和偏置量参数满足如下不等式组:
当需要实现记忆模板[1,-1]时,模板A参数、模板B参数和偏置量参数满足如下不等式组:
当需要实现记忆模板[-1,1]时,模板A参数、模板B参数和偏置量参数满足如下不等式组:
当需要实现记忆模板[-1,-1]时,模板A参数、模板B参数和偏置量参数满足如下不等式组:
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