[发明专利]基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统在审
申请号: | 201611027457.7 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN106370932A | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 刘新福;吴鹏飞;张剑军 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 | 代理人: | 李济群,付长杰 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 测量 薄层 硅片 电阻率 检测 方法 系统 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611027457.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备
- 下一篇:一种芯片结构