[发明专利]形成纳米线的方法

说明书

技术领域

本揭露是关于一种半导体的制造方法，特别是形成纳米特征的方法。

背景技术

电子行业已经经历对更小及更快、同时能支援大量日益复杂及精密的功能的电子装置的不断增加的需求。因此，半导体行业中存在制造低成本、高效能以及低功率的集成电路(integrated circuit；IC)的持续趋势。迄今为止，这些目标已大部分通过按比例缩小半导体IC尺寸(例如，最小特征尺寸)并由此提高生产效率及降低相关成本而得以实现。

此类按比例缩小亦增加处理及制造IC的复杂性，且为了实现此类进步，IC处理及制造亦需要有相似的发展。举例而言，已引入三维晶体管(例如具有纳米线的半导体装置)来替代平面晶体管。尽管用于制造IC装置的现有方法已大体适用于其意欲目的，但其并未在所有方面完全令人满意。例如，期望在纳米线形成方面有所改良。

发明内容

一种形成纳米线的方法，包括：形成第一材料层于基板上，第一材料层具有界定第一开口的侧壁，其中第一开口具有第一形状；形成牺牲特征于第一开口内，其中牺牲特征具有第二形状，此第二形状不同于第一形状，使得在牺牲特征的边缘与第一材料层的侧壁之间存在空腔；用第二材料层填充此空腔；移除牺牲特征以形成第二开口；用第三材料层填充第二开口；移除第二材料层以显露此空腔；以及形成导电特征于此空腔内。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，本揭露的各种态样将最易于理解。应注意的是，根据行业标准操作规程，各种特征结构可能并非按比例绘制。事实上，为了论述的清晰性，可以任意地增大或减小各种特征结构的尺寸。

图1是根据本揭露的一或更多个态样所提供的制造装置或部分的方法的流程图；

图2是根据图1的方法的态样，为装置200的一实施方式的横截面图；

图3A、图4A、图4C、图5A、图5C、图5D、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A、图10C、图10D及图11A是根据图1的方法的态样，为装置200的一实施方式的俯视图；

图3B、图4B、图4D、图5B、图6B、图7B、图8B、图9B、图10B及图11B是根据图1的方法的态样，为沿线A-A截取的装置200的一实施方式的横截面图，这些横截面图分别与图3A、图4A、图4C、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A及图11A的俯视图对应。

具体实施方式

以下揭露提供了许多不同实施例或实例方式来实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及排列的特定实例以简化本揭露。当然，这些例子仅为示例并无意加以限制。举例而言，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(例如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且因此本文所使用的空间相对性描述词可相应地按此解读。