[发明专利]一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路

说明书

本发明涉及一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路。该接口电路主要由两个互补的输出支路构成，每个支路含有一个开关管控制的电流漏和一个常通电流漏，两个支路共用一个偏置电路。所述常通电流漏用于产生输出低电平电流；所述开关电流漏与常通电流漏一起产生输出高电平电流；所述偏置电路用于与开关控制电流漏和常通电流漏形成电流镜结构，提供其所需电流。本发明能够能准确产生符合PECL电平标准的输出高低电平，具有结构简单、实现方便、与主流CMOS工艺兼容等优点。

技术领域

本发明涉及一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路，属于接口设计领域。

背景技术

CMOS集成电路相较于BJT集成电路成本更加低廉。传统的基于BJT工艺的PECL接口电路无法与标准CMOS工艺集成，因此设计一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口极为必要。

常见的基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路如图1所示，它以CMOS信号驱动的开漏的PMOS管作为片内输出级，它的缺点是其输出信号无法同时满足共模值和摆幅的要求，特别是输出的低电平等于偏置电源电平VTT，即VDDPECL-2V，而传统的BJT工艺下，输出的低电平信号为VDDPECL-1.7V。如果通过设置PMOS管11和12的尺寸使得输出信号的共模值为VDDPECL-1.3V，则其信号摆幅将达到1.4V，这会增大高频信号的振铃，不利于信号完整性；如果将其摆幅限制在0.8V，则其共模值与PECL信号典型的共模值不符，这将限制其在直流耦合下的应用。

如何实现CMOS工艺的PECL发送器接口电路能够与传统的BJT工艺下的PECL发送器接口电路输出电平标准一致，是本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路，在不过多增加电路复杂度的情况下提供符合典型PECL标准的输出电平形式，克服现有CMOS工艺下的PECL发送器的输出高低电平与BJT工艺下的PECL电平标准不匹配的问题。

本发明目的通过如下技术方案予以实现：提供一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路，其特征在于：包括偏置电路、负输出电平生成电路和正输出电平生成电路；

所述偏置电路为负输出电平生成电路和正输出电平生成电路提供偏置电流；

所述负输出电平生成电路包括第一MOS开关管、第一开关电流漏、第一常通电流漏，第一开关电流漏输出16mA的电流；第一MOS开关管基于PECL发送器的正输入信号(VIN+)控制第一开关电流漏输出的电流是否流过PECL发送器的负输出端负载电阻；第一常通电流漏输出6mA的电流至负输出端负载电阻；

所述正输出电平生成电路包括第二MOS开关管、第二开关电流漏、第二常通电流漏，第二开关电流漏输出16mA的电流；第二MOS开关管基于PECL发送器的负输入信号(VIN-)控制第二开关电流漏输出的电流是否流过PECL发送器的正输出端负载电阻；第二常通电流漏输出6mA的电流至正输出端负载电阻。

优选的，所述偏置电路包括一个PMOS管，PMOS管的源极连接PECL发送器的电源端；PMOS管的栅极与漏极相连，并连接偏置电流源。

优选的，所述第一开关电流漏包括第一受控MOS管，第一常通电流漏包括第一常通MOS管，第二开关电流漏包括第二受控MOS管，第二常通电流漏包括第二常通MOS管；

第一MOS开关管的栅极连接PECL发送器的正输入信号(VIN+)，漏极连接PECL发送器的负输出端负载电阻，源极连接第一受控MOS管的漏极；第一受控MOS管的栅极连接PMOS管的栅极、第一常通MOS管的栅极、第二受控MOS管的栅极以及第二常通MOS管的栅极；第一受控MOS管源极连接PECL发送器的电源；第一常通MOS管的源极连接PECL发送器的电源，漏极连接PECL发送器的负输出端负载电阻；