[发明专利]基于SOI结构的热不敏感激光器在审
| 申请号： | 201611032903.3 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108075355A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李伟龙;张永干;孙雨舟 | 申请（专利权）人： | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器 负温度系数 波导 激光发射器件 反射结构 不敏感 顶层 绝缘层 二氧化硅波导 折射率变化 波长稳定 输出波长 硅波导 硅衬底 折射率 预设 源区 正向 申请 发射 | ||
1.一种基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述激光器包括SOI结构、位于SOI结构上且对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于SOI结构上第一反射结构和第二发射结构之间的激光发射器件及负温度系数波导，所述SOI结构包括位于底层的硅衬底、中间的绝缘层及位于顶层的硅，顶层的硅在激光发射器件和负温度系数波导之间形成有硅波导，所述负温度系数波导的至少一侧形成有二氧化硅波导，所述激光发射器件作为激光器的有源区，所述负温度系数波导用于对激光器的正向折射率变化进行补偿，以使光线的波长稳定在预设范围内。
2.根据权利要求1所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述激光发射器件采用正温度系数材料的Ⅲ-Ⅴ族化合物制造而成。
3.根据权利要求2所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述激光发射器件通过倒焊装或键合的方法与SOI结构中顶层的硅相集成。
4.根据权利要求1所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述负温度系数波导的材料为负温度系数的聚合物材料。
5.根据权利要求1所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述第一反射结构和/或第二反射结构为反射光栅或反射膜。
6.根据权利要求1所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述二氧化硅波导包括位于硅波导与负温度系数波导之间的第一二氧化硅波导、以及位于第一负温度系数波导与第二反射结构之间的第二二氧化硅波导。
7.根据权利要求6所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述硅波导在朝向第一二氧化硅波导的方向上宽度逐渐减小。
8.根据权利要求7所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述硅波导在与第一二氧化硅波导的界面处呈倒锥形结构。
9.根据权利要求6所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述硅波导在朝向激光发射器件的方向上宽度逐渐减小。
10.根据权利要求9所述的基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述硅波导在与激光发射器件的界面处呈倒锥形结构。
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