[发明专利]具有细粒度功率门控的非易失性铁电逻辑

权利要求书

1.一种能够进行功率门控的装置，所述装置包括：

第一功率域，其具有将由第一可切换正电源和第一可切换负电源供电的第一倒相器；以及

第二功率域，其具有包括p型和n型铁电场效应晶体管(FE-FET)的第二倒相器，所述第二倒相器具有耦合到所述第一倒相器的输出的输入，

其中所述第一功率域与所述第二功率域分离。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二倒相器用于在所述第一功率域通过关闭所述第一可切换正电源和所述第一可切换负电源而断电时保持所述p型和n型FE-FET的栅极端子处的逻辑状态。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二倒相器用于在所述第一可切换正电源和所述第一可切换负电源分别被设置为零电源时保持所述p型和n型FE-FET的栅极端子处的逻辑状态。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一倒相器包括分别耦合到所述p型和n型FE-FET的p型和n型MOSFET。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一可切换正电源在正电源和零电源之间切换。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一可切换负电源在负电源和零电源之间切换。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二倒相器将由第二可切换正电源和第二可切换负电源供电，使得第二可切换正电源将被提供给所述第二倒相器的p型FE-FET，并且其中所述第二可切换负电源将被提供给所述第二倒相器的n型FE-FET。

8.一种能够进行功率门控的装置，所述装置包括：

将要耦合到正电源并且能够由控制信号控制的第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；

与所述第一p型MOSFET串联耦合的第一p型铁电场效应晶体管(FE-FET)，所述第一p型FE-FET耦合到第一输入节点；

与所述第一p型FE-FET串联耦合的第一n型FE-FET，所述第一p型FE-FET耦合到所述第一输入节点，其中所述第一p型FE-FET和所述第一n型FE-FET耦合到第一输出节点；以及

与所述第一n型FE-FET串联耦合的第一n型MOSFET，所述第一n型MOSFET将要耦合到负电源并且能够由所述控制信号的互补信号控制。

9.根据权利要求8所述的装置，包括耦合到所述第一输出节点、所述第一p型FE-FET的源极端子和所述第一n型FE-FET的源极端子的逻辑簇，其中所述逻辑簇具有第二输出节点。

10.根据权利要求9所述的装置，包括将要耦合到正电源和所述第一n型MOSFET的源极端子的第二p型MOSFET。

11.根据权利要求10所述的装置，包括与所述第一p型MOSFET串联耦合的第二p型FE-FET，所述第一p型FE-FET耦合到所述第二输出节点。

12.根据权利要求11所述的装置，包括与所述第一p型FE-FET串联耦合的第二n型FE-FET，所述第一p型FE-FET耦合到所述第二输出节点，其中所述第一p型FE-FET和所述第一n型FE-FET耦合到第三输出节点。

13.根据权利要求12所述的装置，包括与所述第一n型FE-FET串联耦合的第二n型MOSFET，所述第一n型MOSFET将要耦合到负电源并且耦合到所述第一p型FE-FET的源极端子。

14.根据权利要求12所述的装置，其中当所述逻辑簇将要掉电时所述第二n型FE-FET和所述第二p型FE-FET将要保持所述第二输出节点的逻辑状态。