[发明专利]一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料有效
| 申请号： | 201611035237.9 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106784303B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王学锋;高明;钮伟;徐永兵;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 唐绍焜 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 弯曲 超大 不饱和 磁阻 材料 制备 方法 | ||
1.一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：包括步骤：
步骤1：将装有新解理的氟晶云母基片的真空腔室抽到4.6±1×10-7Pa，并将氟晶云母基片加热到恒定温度300±5℃；
步骤2：保持步骤1中的生长条件，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到碲化钨靶材上，所述碲化钨靶材与激光束的夹角为45°+2°，激光束的平均能量密度为1.5±0.5J/cm2，激光重复频率为1Hz，沉积时间根据选择厚度而决定；
步骤3：完成所述碲化钨薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火10min，然后将碲化钨薄膜冷却至室温，即得到超大不饱和磁阻材料。
2.根据权利要求1所述的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：取出样品之后，将样品和0.0030g的Te粉放到石英管子中，抽至0.1Pa，再封好管口，随后加热到700±5℃，在Te气氛下退火40h。
3.根据权利要求1所述的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：所述碲化钨薄膜材料由W、Te以化学元素比1:2形成的化合物；所述的薄膜材料是单晶的。
4.根据权利要求1所述的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：所述步骤2中碲化钨靶材以均匀速率进行转动。
5.根据权利要求1所述的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：所述步骤3中原位退火过程中保持气压不变。
6.一种超大不饱和磁阻材料，其特征在于：所述超大不饱和磁阻材料采用权利要求1或2所述的方法制备而成。
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