[发明专利]一种以碳纳米材料薄膜为异质结背场的晶体硅太阳能电池在审
| 申请号： | 201611035413.9 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN108074992A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 韦进全;张泽麟;崔贤;王昆林;孙永明;丁孔贤 | 申请（专利权）人： | 清华大学;深圳珈伟光伏照明股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳纳米材料 薄膜 太阳能电池 晶体硅太阳能电池 空穴 异质结 背场 太阳能电池结构 传输能力 短路电流 晶体硅片 开路电压 能带结构 转换效率 背电场 背光面 太阳光 短路 硅片 照射 电池 穿过 传输 吸收 | ||
1.以碳纳米材料薄膜为异质结背场的太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池为晶体硅太阳能电池；
所述碳纳米材料薄膜为碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜或由石墨烯和碳纳米管复合而得的复合薄膜中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于：所述碳纳米材料薄膜的厚度为5～1000nm。
4.根据权利要求1-3中任一所述的太阳能电池，其特征在于：所述碳纳米管薄膜的厚度为5～1000nm；
所述石墨烯薄膜的厚度为1～100nm。
所述由石墨烯和碳纳米管复合而得的复合薄膜的厚度为5～1000nm。
5.根据权利要求1-4中任一所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池的结构为如下结构a、结构b或结构c：
所述结构a由上至下依次包括：栅线上电极、减反层、钝化层、硅pn结、p型晶体硅、碳纳米材料薄膜和下电极；
所述结构b由上至下依次包括：栅线上电极、减反层、钝化层、硅pn结、p型晶体硅、本征层、碳纳米材料薄膜和下电极；
所述结构c由上至下依次包括：栅线上电极、减反层、钝化层、硅pn结、p型晶体硅，在所述p型晶体硅下间隔设置有若干个条带状碳纳米材料薄膜，且每个所述条带状碳纳米材料薄膜之下均被下电极覆盖，相邻两个所述条带状碳纳米材料薄膜之间的凹槽处设有本征层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述p型晶体硅的厚度为50～300μm；
所述栅线上电极的厚度为0.05-50μm；
所述减反层的厚度为20-150nm；
所述钝化层的厚度为2-60nm；
所述硅pn结的厚度为50-2000nm；
所述本征层的厚度为2-30nm；
所述下电极的厚度为50-5000nm。
7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其特征在于：构成所述栅线上电极的材料选自Al、Ag、Au、Cu、Mo、碳纳米管和石墨烯中的至少一种；
构成所述减反层的材料选自SiN
构成所述钝化层材料选自Al
构成所述本征层材料选自本征非晶硅和掺氧非晶硅中的至少一种；
构成所述下电极的材料选自Al、Ag碳纳米管纤维和石墨烯中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;深圳珈伟光伏照明股份有限公司，未经清华大学;深圳珈伟光伏照明股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611035413.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合透明导电膜
- 下一篇：用于太阳能电池的前电极和包括其的太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
