[发明专利]磁性元件和存储装置有效
| 申请号： | 201611035933.X | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106953005B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 元件 存储 装置 | ||
1.一种磁性元件，包括
自由磁化层，具有1590nm2以下的平面圆形图案的面积，所述自由磁化层包括被配置为待改变的磁化状态；
绝缘层，被耦合至所述自由磁化层，所述绝缘层包括非磁性材料；以及
磁化固定层，与所述自由磁化层相对地耦合至所述绝缘层，所述磁化固定层包括固定的磁化以便能够用作所述自由磁化层的基准，
其中，所述平面圆形图案的区域垂直于所述磁性元件的厚度方向；
其中，所述自由磁化层由Co-Fe-B或向Co-Fe-B添加了非磁性材料的材料形成。
2.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述非磁性材料包括MgO。
3.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层的尺寸等于或者小于所述磁化的方向被同时改变的尺寸。
4.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述平面圆形图案的面积是1256nm2以下。
5.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层具有45nm以下的横向长度。
6.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层具有40nm以下的横向长度。
7.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层具有2390nm3以下的体积。
8.根据权利要求1所述的磁性元件，进一步包括保护层，所述保护层与所述绝缘层相对地耦合至所述自由磁化层。
9.根据权利要求8所述的磁性元件，其中，所述保护层包括Ru层。
10.根据权利要求9所述的磁性元件，其中，所述保护层进一步包括Ta层。
11.根据权利要求10所述的磁性元件，其中，所述Ta层在所述Ru层与所述自由磁化层之间。
12.根据权利要求11所述的磁性元件，其中，所述磁化固定层包括第二铁磁材料。
13.根据权利要求12所述的磁性元件，其中，所述第二铁磁材料包括Co和Fe。
14.根据权利要求13所述的磁性元件，其中，所述磁化固定层包括Ru。
15.根据权利要求14所述的磁性元件，其中，所述磁化固定层包括第一层、第二层以及第三层，所述第一层包括Co和Fe，所述第二层包括Ru，所述第三层包括Co，并且其中，所述第二层在所述第一层与所述第三层之间。
16.根据权利要求1所述的磁性元件，进一步包括底层，所述底层与所述绝缘层相对地耦合到所述磁化固定层，并且其中，所述底层包括Ru。
17.一种存储装置，包括如在权利要求1中所述的磁性元件。
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