[发明专利]一种半导体器件的生产方法有效
| 申请号： | 201611039279.X | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106783639B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 喻鹏 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 523750 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 生产 方法 | ||
1.一种半导体器件的生产方法，其特征在于，包括：
S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；
S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。
2.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤S4之前包括：
S1：解冻锡膏；
S2：在引线框架上设置锡膏；
S3：在引线框架上设置芯片；
所述半导体器件半成品包括设置有锡膏的引线框架和/或设置有芯片的引线框架。
3.如权利要求2所述的生产方法，其特征在于，步骤S5中的继续使用包括：将解冻后的半导体器件半成品进行回流焊处理。
4.如权利要求2所述的生产方法，其特征在于，所述锡膏通过印刷的方式设置于所述引线框架上。
5.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，半导体器件半成品在-18℃到5℃之间储存。
6.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述半导体半成品解冻到10℃到30℃之间。
7.如权利要求1-6任一项所述的生产方法，其特征在于，步骤S4中，涂覆有锡膏的半导体器件半成品经过抽真空密封后在低温下储存。
8.如权利要求7所述的生产方法，其特征在于，抽真空密封具体包括：涂覆有锡膏的半导体器件半成品置于料盒，放入密封袋中，抽真空。
9.如权利要求8所述的生产方法，其特征在于，所述密封袋为铝箔袋或塑料袋。
10.如权利要求1-6任一项所述的生产方法，其特征在于，涂覆有锡膏的半导体器件半成品放入冷柜中实现低温储存。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
