[发明专利]一种二氧化钛‑有机钙钛矿复合光催化薄膜及制备和应用

权利要求书

1.一种二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜，其特征在于：包括衬底，以及在衬底上依次自下而上生长的有机钙钛矿薄膜层和TiO₂薄膜层。

2.根据权利要求1所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜，其特征在于：所述TiO₂薄膜层的面积要大于其下层有机钙钛矿薄膜层的面积，用于将下层的有机钙钛矿薄膜完全包覆在衬底和TiO₂薄膜层之间。

3.根据权利要求1所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜，其特征在于：所用衬底为玻璃或FTO导电玻璃。

4.根据权利要求1所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜，其特征在于：所述有机钙钛矿薄膜层成份为CH₃NH₃PbI₃，CH₃NH₃PbBr₃或CH₃NH₃PbBr_xI_3-x，其中，0<x<3。

5.根据权利要求1所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜，其特征在于：所述TiO₂薄膜层是锐钛矿晶型。

6.一种二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜的制备方法，其特征在于：按下述步骤进行，

a)在清洗干燥后的衬底上采用旋涂或气相沉积在衬底表面制备有机钙钛矿薄膜；

b)将制备有机钙钛矿薄膜的衬底放在加热台上进行退火处理，退火温度为80～110℃，退火时间为30～60分钟；

c)在退火后的有机钙钛矿薄膜上制备TiO₂薄膜层得到复合薄膜基体；

d)将制备好的复合薄膜基体在氧气环境中进行退火处理，退火温度为500～600℃，退火时间为1～2小时，得到二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜。

7.根据权利要求6所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜的制备方法，其特征在于：制备的有机钙钛矿薄膜层的厚度为200～500nm，对应的退火温度为80～110℃。

8.根据权利要求6所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜的制备方法，其特征在于：制备的TiO₂薄膜层的厚度为200～500nm对应的退火温度为500～600℃。

9.根据权利要求6所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜的制备方法，其特征在于：采用电子束蒸发在有机钙钛矿薄膜上蒸镀TiO₂薄膜层。

10.一种如权利要求1～5任一项所述的二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜的应用，其特征在于：所述二氧化钛-有机钙钛矿复合光催化薄膜用于在可见光下进行光催化降解有机溶液。