[发明专利]过流保护及防闩锁电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及过流保护及防闩锁电路。

背景技术

闩锁效应是体硅CMOS电路中的寄生四层PNPN结构的可控硅现象，极易产生电路的永久性失效，对卫星的部件产生严重的后果。现代卫星应用了大量的CMOS电路，而随着微电子特征尺寸的不断减小，其中很多电路的闩锁敏感性也会随着显著增加，影响了电路的正常工作，使故障风险大大增加。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种过流保护及防闩锁电路。

本发明提供了一种过流保护及防闩锁电路，包括开关机电路、电流采样及限流电路、防闩锁打嗝电路、驱动电路及功率电路，该过流保护及防闩锁电路还包括电阻R29、三极管V3，所述电流采样及限流电路包括电阻R4、电阻R6、电容C2、对管V1、电阻R7、电阻R8、电阻R*2、电阻R9、三极管V4、电阻R18，该过流保护及防闩锁电路输入端分别与所述电阻R29一端、电阻R6一端、电阻R4的A端相连，所述电阻R4的B端与电阻R*2的一端相连，所述R*2的另一端与V1的2N3810-B的发射极相连，所述电阻R6的另一端与对管V1的2N3810-A的发射极相连，V1的基极与V1的2N3810-A的集电极相连，电容C2两端分别连接V1的2N3810-A的发射极及V1的2N3810-B的发射极及电阻R7的一端相连并接地，电阻R7另一端与电阻R8一端相连并接地，电阻R8另一端与V1的2N3810-B的集电极相连，电阻R9一端与V1的2N3810-B的集电极相连，电阻R9另一端与所述三极管V4基极相连，所述三极管V4发射极与所述驱动电路及功率电路相连，所述三极管V4集电极与电阻R18一端相连，电阻R18另一端与所述三极管V3集电极相连，三极管V3发射极接地，三极管V3基极与所述防闩锁打嗝电路相连，所述电阻R29另一端与所述开关机电路相连。

作为本发明的进一步改进，该过流保护及防闩锁电路还包括延时电路、电阻R27，所述防闩锁打嗝电路还包括电阻R20、电容C4、三极管V11、电阻R*30、电阻R30、R*29、电阻R*27、电容C*5、电阻R*28、电容C*4、电阻R*27、电容C6，所述三极管V3基极与所述电阻R20一端相连，所述电阻R20另一端接地，电容C4一端与三极管V3基极相连，电容C4另一端接地，电阻R27一端与三极管V3基极相连，电阻R27另一端与三极管V11集电极相连，三极管V11发射极接地，三极管V11基极分别与电阻R*30一端、电阻R30一端相连，电阻R30另一端接地，电阻R*30另一端与电阻R*29、电容C*4一端相连，电容C*4另一端接地，电阻R*29另一端与延时电路相连，电阻R*27另一端与电容C*5及电阻R*28一端相连，电容C*5的另一点接地，电阻R*28另一端与延时电路相连，电容C6一端接地，电容C6另一端连接开关机电路，电阻R*27一端连接开关机电路，电阻R*27另一端与电容C*5及电阻R*28一端相连，C*5的另一点接地。

作为本发明的进一步改进，所述开关机电路包括电阻R19、电阻R26、电阻R22、电容C3、电容C5、三极管V14、三极管V21、三极管V2、电阻R*26，电阻R19一端与指令输入端相连，电阻R19另一端分别与电阻R26一端、电容C3一端及三极管V14基极相连，电阻R26另一端及电容C3另一端接地，三极管V14发射极接地，三极管V14集电极分别与电阻R22一端、电容C5一端及三极管V21发射极相连，电阻R22及C5的另一端与三极管V21基极相连，三极管V2集电极与三极管V21基极相连，三极管V2发射极接地，三极管V2基极与三极管V21集电极相连，所述电阻R*26一端接地，所述电阻R*26另一端与所述三极管V21集电极相连。

作为本发明的进一步改进，所述电阻R*27一端连接三极管V21集电极，所述电容C6另一端连接三极管V21集电极。

作为本发明的进一步改进，所述电阻R29另一端与所述三极管V14相连。