[发明专利]一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201611040248.6 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106756825B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李东升;刘国华;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C09K11/59 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光涂层 制备方法和应用 波长可调 掺硼 荧光粉 光电子器件领域 发明制备工艺 磁控溅射法 发光色彩 发光中心 荧光波长 最大发射 兼容性 富硅 硅靶 硼靶 引入 应用 | ||
1.一种波长可调的荧光涂层在荧光粉以及硅基光电子器件中的应用，其特征在于，所述荧光涂层的制备方法包括如下步骤：
(1)清洗衬底，衬底清洗后加热至450～600℃；
(2)在真空度为1×10-5～1×10-2Pa下，通入高纯Ar和高纯O2混合气体，利用射频溅射对硅靶和硼靶进行反应共溅射，在衬底上沉积薄膜；
(3)惰性气氛下，对步骤(2)得到的薄膜进行热处理，即得到掺硼的荧光涂层；
所述荧光涂层的硼含量为1～15.1at.％；所述荧光涂层在激发下会产生650nm～410nm的荧光，最大发射荧光波长随硼含量的变化而变化；
步骤(2)中共溅射时，硅靶的溅射功率为120～150W，硼靶的溅射功率为30～120W，溅射腔室的压强为1Pa。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述荧光涂层的硼含量为1.5～4.5at.％时，在325nm激发波长下，所述荧光涂层的最大发射波长随硼含量的增加从650nm逐渐移动到410nm。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所所述荧光涂层的硼含量为2.17～3.58at.％时，在325nm激发波长下，所述荧光涂层的最大发射波长随硼含量的增加从520nm逐渐移动到459nm。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤(2)中高纯Ar和高纯O2混合气体中高纯O2的质量百分含量为0.01％～10％。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤(3)中热处理的条件为：在600～1200℃下热处理0～6小时。
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