[发明专利]一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611041955.7 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106756787B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;李萌;张燕;秦俊;梁潇;王闯堂;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;G02F1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁光光谱 可调控 制备 薄膜沉积 磁光材料 氧化铈 氧化铪 钴掺杂 薄膜 磁性氧化物 室温铁磁性 磁光性质 光学器件 光学性质 激光能量 可调波长 生长过程 可调谐 磁光 高磁 可调 气压 生长 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种可调控磁光光谱的磁光材料，其特征在于：
该材料是以CeO2、HfO2和Co3O4为原料按CexHf0.95-xCo0.05O2-δ的mol％比，通过固相法制得靶材，再通过脉冲激光沉积PLD技术制得，其中0＜x＜0.95。
2.如权利要求1所述可调控磁光光谱的磁光材料的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1、制备靶材；
将CeO2、HfO2和Co3O4原料粉末按CexHf0.95-xCo0.05O2-δ的mol％比，通过固相法制得靶材，其中0＜x＜0.95；
步骤2、清洗基片，并干燥备用；
步骤3、沉积钴掺杂的氧化铈和氧化铪薄膜；
采用脉冲激光沉积PLD技术，在步骤2清洗后的基片上沉积钴掺杂氧化铈和氧化铪薄膜；其中脉冲激光沉积时能量密度为2.0-4.0J/cm2，薄膜的沉积温度为600-700℃，沉积气压为1.1×10-4-1.9×10-4Pa。
3.如权利要求2所述可调控磁光光谱的磁光材料的制备方法，其特征在于：所述基片为石英基片。
4.如权利要求2所述可调控磁光光谱的磁光材料的制备方法，其特征在于：所述基片的清洗方法为，依次采用有机溶剂丙酮，乙醇和去离子水于超声清洁仪里进行超声清洗3-5分钟，清洗完成后；干燥方法为氮气吹干。
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