[发明专利]一种用于产生二维OPC测试图形的方法

权利要求书

1.一种用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，包括：

步骤S1：根据半导体芯片的设计尺寸生成多种特殊图形单元，其中，所述的特殊图形单元的边框为正方形，所述正方形的边长与所述半导体芯片的设计尺寸基于模型的OPC规则相关，所述正方形中的图形为多边形；

步骤S2：根据芯片的设计尺寸确定二维OPC测试图形的框架；其中，所述的框架由N*M个所述特殊图形单元的正方形构成；

步骤S3：通过不同二维OPC层次的图形密集度，设定各种特殊图形单元对应的出现概率，并根据出现概率的差别，采用蒙特卡洛法将特殊图形单元填充到所述OPC测试图形的框架中，以生成二维OPC测试图形；

步骤S4：对根据蒙特卡洛法排列完成的二维OPC测试图形，根据芯片设计尺寸以及光罩生产厂商的实际生产能力进行基于规则的OPC修正检查以及基于模型的OPC的修正检查，将不符合基于规则的OPC和基于模型的OPC规格尺寸的特殊图形单元滤除；

步骤S5：检查二维OPC测试图形的框架是否填充完整，如果填充完整则得到最终的二维OPC测试图形；如果没有填充完整，那么，继续执行步骤S3、S4和步骤S5。

2.根据权利要求1所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述特殊图形单元的种类一共有五种；其中，所述正方形的空间由四个小正方形组成；

种类A：所述种类A具有四种图形样态，为所述正方形中的左上方、左下方、右上方或右下方小正方形被填充；

种类B：所述种类B具有四种图形样态，除所述正方形中的为所述正方形中的左上方、左下方、右上方或右下方小正方形没有被填充，其余均被填充；

种类C：所述种类C具有两种图形样态，为所述正方形中的右边或左边两个小正方形被填充，其余没有被填充；

种类D：所述种类D具有一种图形样态，为所述正方形中的所有小正方形均没有被填充；

种类E：所述种类E具有一种图形样态，为所述正方形中的所有小正方形均被填充。

3.根据权利要求2所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述根据不同OPC层次的图形密集度，设定五种特殊图形单元对应的出现概率，对于有源区层，增加种类B、种类C和种类E三种特殊图形单元的出现概率，然后采用蒙特卡洛法正式基于这些图形的出现概率进行随机排列，以生成二维OPC测试图形。

4.根据权利要求2所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述根据不同OPC层次的图形密集度，设定五种特殊图形单元对应的出现概率，对于第一金属层，增加种类A、种类C和种类D三种特殊图形单元的出现概率，然后采用蒙特卡洛法正式基于这些图形的出现概率进行随机排列，以生成二维OPC测试图形。

5.根据权利要求1所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述特殊图形单元尺寸是基于模型的OPC修正检查规格的两倍。

6.根据权利要求5所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，对于65纳米半导体芯片的设计尺寸，所述特殊图形单元尺寸的边长为130纳米。

7.根据权利要求1所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述M等于N，即所述二维图形是由N*N个特殊的图形单元组成。

8.根据权利要求7所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述OPC测试图形的框架是边长由16*16个所述特殊图形单元的边长组成。

9.根据权利要求1所述的用于产生二维OPC测试图形的方法，其特征在于，所述基于模型的OPC的修正检查规格尺寸设定为30纳米。