[发明专利]一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法

权利要求书

1.一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R。

2.根据权利要求1所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R-L-C-L。

3.根据权利要求2所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，所述多晶电阻R上还并联有电容C，即从管芯向外的第一结构为R-C-L-C-L。

4.根据权利要求3所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-C-L-C-L-C-L。

5.根据权利要求2所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-L-C-L-C-L。