[发明专利]一种异面电极结构芯片的频率响应测试装置

权利要求书

1.一种异面电极结构芯片频率响应测试装置，包括：矢量网络分析仪、探针、探测器，其特征在于，还包括一个测试平台，所述的测试平台包括共面波导传输线和多根金丝，所述共面波导传输线包括多个电极，所述多根金丝用于连接所述异面电极结构芯片和共面波导传输线的电极。

2.根据权利要求1所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述测试平台还包括背地电极和载体，所述背地电极上表面和所述载体的下表面相连接，用于电磁场屏蔽。

3.根据权利要求2所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述载体具有一定的热导性和绝缘性，其制备材料为氮化铝或三氧化二铝。

4.根据权利要求1所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的共面波导传输线结构包括第一地电极、信号电极和第二地电极，电极宽度和间距等结构参数按照实际需要进行没计，并依次平铺于所述载体上，形成G-S-G结构。

5.根据权利要求4所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的信号电极上表面的一端与所述异面电极结构芯片的下电极相接。

6.根据权利要求4所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的多根金丝将所述异面电极结构芯片的上电极与所述第一地电极、第二地电极之间实现最短连接。

7.根据权利要求6所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的多根金丝两端分别打点到所述第一地电极和第二地电极上，其中间位置打点到所述异面电极结构芯片的上电极上。

8.根据权利要求4所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的探针为G-S-G共面微波探针，与所述的第一地电极、信号电极和第二地电极直接接触，用于向所述异面电极结构芯片传递所述矢量网络分析仪的电信号。

9.根据权利要求1所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的探测器利用光纤耦合接收所述异面电极结构芯片发出的光信号，用于将所述的光信号转换为电信号并传递到矢量网络分析仪。

10.根据权利要求1所述的异面电极结构芯片频率响应测试装置，其特征在于，所述的矢量网络分析仪分别与所述的探针和探测器相连，用于将向探针传输的电信号和接收探测器的电信号进行对比分析得到测试结果。