[发明专利]具有烧结多层堆叠的太阳能电池和模块

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

硅基层，其具有前表面和后表面；

至少一个前介质层，其直接在硅基层的前表面的至少一部分上；

多条精细网格线，其在硅基层的前表面的一部分上；

至少一个前汇流层，其与多条精细网格线的至少一者电接触；

硅基层后表面至少一部分上的铝粒子层，铝粒子层包括铝粒子；以及

硅基层后表面一部分上的后标志层，其中后标志层包括：

硅基层后表面一部分上的改良铝粒子层；以及

直接在改良铝粒子层的至少一部分上的改良插层，其中改良插层具有可软焊表面；

其中，改良铝粒子层包括铝粒子和来自改良插层的至少一种材料；

其中，改良插层包括贵金属和从下组选择的材料，包含：锑、砷、钡、铋、硼、镉、钙、铈、铯、铬、钴、镓、锗、铪、铟、铁、镧、铅、锂、镁、锰、钼、铌、磷、钾、铼、硒、硅、钠、锶、硫、碲、锡、钒、锌、锆，其组合，及其合金、其氧化物、其合成物，及其其它组合。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，改良插层包括两个相位：贵金属相位和嵌入相位；

其中，大于50％的可软焊表面包括贵金属相位；

其中，改良铝粒子层包括铝粒子和来自嵌入相位的至少一种材料；以及

其中，嵌入相位包括从下组选择的材料，包含：锑、砷、钡、铋、硼、镉、钙、铈、铯、铬、钴、镓、锗、铪、铟、铁、镧、铅、锂、镁、锰、钼、铌、磷、钾、铼、硒、硅、钠、锶、硫、碲、锡、钒、锌、锆，其组合，及其合金、其氧化物、其合成物，及其其它组合。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，改良插层包括两个子层：

直接在改良铝粒子层的至少一部分上的子插层；以及

直接在子插层的至少一部分上的贵金属子层；

其中，可软焊表面包括贵金属子层；

其中，改良铝粒子层包括铝粒子和来自子插层的至少一种材料；以及

其中，子插层包括从下组选择的材料，包含：锑、砷、钡、铋、硼、镉、钙、铈、铯、铬、钴、镓、锗、铪、铟、铁、镧、铅、锂、镁、锰、钼、铌、磷、钾、铼、硒、硅、钠、锶、硫、碲、锡、钒、锌、锆，其组合，及其合金、其氧化物、其合成物，及其其它组合。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，改良插层包括两个子层：

富铋子层，其直接在改良铝粒子层上；以及

富银子层，其直接在富铋子层上；

其中，改良铝粒子层进一步包括从下组选择的至少一种材料，包含：铝氧化物，铋，和铋氧化物；并且富铋子层具有0.01μm至5μm之间的厚度。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其中，改良铝粒子层进一步包括铋，且铋与铋加铝的重量比(Bi:(Bi+Al))在改良铝粒子层中至少比在铝粒子层中高20％。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，贵金属包括从下组选择的材料，包含：银、金、铂、钯、铑，及其合金、其合成物及其其它组合。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：至少一个后介质层，其直接在硅基层的后表面的至少一部分上；其中，后介质层包括从下组选择的至少一种材料，包含：硅、铝、锗、铪、镓，及其氧化物、其氮化物、其合成物及其组合。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：第一后介质层，其包括直接在硅基层后表面的至少一部分上的氧化铝，以及第二后介质层，其包括直接在第一后介质层上的氮化硅。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：固态铝-硅共晶层，其直接在硅基层上。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，后标志层的一部分具有大于12μm的平均峰至谷高度。

11.如权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：直接在改良插层的可软焊表面的至少一部分上的标志带。