[发明专利]一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置有效

专利信息
申请号: 201611046277.3 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106526716B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 查国伟 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02B1/118 分类号: G02B1/118;G02F1/1335
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 微纳结构 显示装置 二氧化硅层 成核点 石墨烯 扩散 基板 制作 二氧化硅层表面 蜂巢 下表面形状 工艺步骤 工艺成本 生长 反效果 晶格状 六角形 上表面 生长基 下表面 原子量 渐变 角形 坑洞
【说明书】:

发明提供一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置,其包括:提供一基板;在基板上形成一二氧化硅层,二氧化硅层表面有多个坑洞,用于提供减反膜的成核点;在二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯;以石墨烯为生长基底,在多个成核点中形成减反膜的下表面,使得下表面形状为六角形,并通过渐变生长的方式使得减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少,以形成减反膜的上表面。本发明的微纳结构减反膜的制作方法及显示装置,工艺步骤简单,工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜。

技术领域

本发明涉及液晶显示面板领域,尤其涉及一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置。

背景技术

液晶显示装置应用越来越广泛,主流的显示技术主要基于显示装置的主动发光原理实现,而太阳光的反射反而构成了影响显示画面对比度的重要障碍。

现有主要是通过在显示装置上进行减反处理,以减弱太阳光的反射对显示画面的影响,其中一种方式为表面微纳结构的方法。采用表面微纳结构的方法是通过在薄膜表面通过微电子工艺制备光刻胶掩膜,然后采用刻蚀微结构的方法实现,其中,所要求的微电子工艺掩膜板的工艺成本与制备精度均存在较大的难度,工艺步骤复杂。

故,有必要提供一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置,以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微纳结构减反膜的制作方法,以解决现有的微纳结构减反膜制作工艺中存在的工艺步骤复杂、工艺成本高且形成的微纳结构减反膜精度差的技术问题。

为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:

本发明提供一种微纳结构减反膜的制作方法,其包括:

提供一基板;

在所述基板上形成一二氧化硅层,所述二氧化硅层表面有多个坑洞,用于提供减反膜的成核点;

在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯;

以所述石墨烯为生长基底,在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面,使得所述下表面形状为六角形,并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少,以形成所述减反膜的上表面。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,所述减反膜的材料为氧化锌或硅。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,可通过化学气相沉积法、高温退火碳化硅外延法或金属单晶表面外延法形成所述石墨烯。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,所述上表面的形状为六角形或圆形。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,所述下表面的面积大于所述上表面的面积。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,所述下表面的直径为100-900纳米。

在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中,所述下表面与所述上表面之间的距离为100-1000纳米。

依据本发明的上述目的,还提供一种显示装置,其包括一种微纳结构减反膜,其制作方法包括:

提供一基板;

在所述基板上形成一二氧化硅层,所述二氧化硅层表面有多个坑洞,用于提供减反膜的成核点;

在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯;

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