[发明专利]一种表面增强拉曼基底及其制备方法

权利要求书

1.一种能够调节颗粒度大小的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在基片上制备银膜，得到镀银基片，所述基片包括硅片、玻璃、二氧化硅或氮化硅中的任意1种，所述银膜的厚度为20～1000nm；

(2)将步骤(1)所述的镀银基片进行等离子体干法刻蚀，所述等离子体干法刻蚀过程在等离子体刻蚀机中进行，其工作气体包括Cl₂和辅助气体，所述辅助气体包括Ar、N₂、He或含氯气体中的任意1种或至少2种的组合，所述工作气体中Cl₂与辅助气体的体积比为(1～9):(9～1)，其工作气体以1～1000sccm的流量通入，调节腔体压强为0.2～2Pa，设置上电极功率为50～2000W，设置下电极功率为5～500W，刻蚀5～200s，得到不同颗粒度的多孔结构的表面增强拉曼基底。

2.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述基片包括硅片。

3.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述制备银膜的方法包括磁控溅射和/或电子束蒸发。

4.如权利要求3所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射为银靶溅射。

5.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述银膜的厚度为100～800nm。

6.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述工作气体中Cl₂与辅助气体的体积比为(3～7):(7～3)。

7.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述工作气氛的流量为5～100sccm。

8.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述腔体压强为1～1.5Pa。

9.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述上电极功率为200～1000W。

10.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述下电极功率为20～150W。

11.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述刻蚀时间为8～60s。

12.如权利要求1所述的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在硅片上通过磁控溅射和/或电子束蒸发制备厚度为100～800nm的银膜，得到镀银基片；

(2)将步骤(1)所述的镀银基片在等离子体刻蚀机中进行等离子体干法刻蚀，过程中以5～100sccm的流量通入工作气体Cl₂和辅助气体，所述辅助气体包括Ar、N₂、He或含氯气体中的任意1种或至少2种的组合，所述工作气体中Cl₂与辅助气体的体积比为(1～9):(9～1)，调节腔体压强为1～1.5Pa，设置上电极功率为200～1000W，设置下电极功率为20～150W，刻蚀5～200s；得到不同颗粒度的多孔结构的表面增强拉曼基底。

13.一种表面增强拉曼基底，其特征在于，由如权利要求1～12任一项所述的表面增强拉曼基底的制备方法制备得到。

14.如权利要求13所述的表面增强拉曼基底，其特征在于，所述表面增强拉曼基底包括纳米银多孔薄膜。

15.如权利要求14所述的表面增强拉曼基底，其特征在于，所述纳米银多孔薄膜中的纳米银颗粒中值粒径为10～300nm。

16.如权利要求14所述的表面增强拉曼基底，其特征在于，所述纳米银多孔薄膜中的纳米银颗粒中值粒径为20～100nm。