[发明专利]相变电子器件

权利要求书

1.一种相变电子器件，包括：层叠设置的相变材料层和离子液体层，所述离子液体层能够提供氢离子和氧离子，所述相变材料层为结构式为ABO_xH_y的含氢过渡金属氧化物，其中A为碱土金属元素和稀土金属元素中的一种或多种，B为过渡族金属元素的一种或多种，x的取值范围为1-3，y的取值范围为0-2.5。

2.如权利要求1所述的相变电子器件，其特征在于，所述离子液体层覆盖所述相变材料层。

3.如权利要求1所述相变电子器件，其特征在于，进一步包括第一导电层层叠设置于所述离子液体层远离所述相变材料层的表面。

4.如权利要求3所述的相变电子器件，其特征在于，进一步包括与所述第一导电层间隔设置的第二导电层，所述相变材料层设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，并与所述第二导电层连接。

5.如权利要求4所述的相变电子器件，其特征在于，进一步包括绝缘支撑体设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述绝缘支撑体相互绝缘设置；

所述相变材料层与所述第二导电层具有接触表面；

在所述相变材料层远离所述第二导电层的表面设置绝缘支撑体；

所述绝缘支撑体分别与所述第一导电层、所述离子液体层和所述相变材料层具有接触表面。

6.如权利要求5所述的相变电子器件，其特征在于，进一步包括第一基底和第二基底，所述第一基底与所述第二基底相对间隔设置，所述第一导电层设置于所述第一基底，所述第二导电层设置于所述第二基底。

7.如权利要求6所述的相变电子器件，其特征在于，所述第一基底、所述第一导电层、所述第二导电层、以及所述第二基底均为透明材料制成。

8.如权利要求1-7中任一项所述的相变电子器件，其特征在于，所述碱土金属元素包括Be、Mg、Ca、Sr和Ba，所述稀土金属元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb，所述过渡族金属元素包括Co、Cr、Fe、Mn、Ni、Cu、Ti、Zn、Sc和V。

9.如权利要求8所述的相变电子器件，其特征在于，x为2.5，y为0-2.5。

10.如权利要求8所述的相变电子器件，其特征在于，B为过渡族金属元素Co。

11.如权利要求10所述的相变电子器件，其特征在于，A为碱土金属元素Sr。

12.如权利要求1所述的相变电子器件，其特征在于，在电场作用下，所述相变材料层在第一相、第二相和第三相之间进行相变，所述第一相的晶格体积大于所述第二相的晶格体积，所述第二相的晶格体积大于所述第三相的晶格体积。

13.如权利要求12所述相变电子器件，其特征在于，所述第一相为SrCoO_2.5H，所述第二相为SrCoO_2.5，所述第三相为SrCoO_3-δ。