[发明专利]一种增强OPC处理精度的方法

说明书

本发明公开了一种增强OPC处理精度的方法，通过利用建立工艺热点库信息，对出版数据进行热点分析和MEEF值判定，对MEEF值在设定值以上的高MEEF图形进行加强OPC图形修正和检查，在此基础上对工艺热点库进行不断升级，可改善以往在OPC修正时出现的对重复图形区域在不同的地方随机修正结果不一样的问题，提高高MEEF图形的OPC处理精度，并保持OPC修正结果的一致性；本发明可以和现有的处理方法兼容，同时可以大幅减少系统的运行时间，不但克服了传统设计随意性和数据的冗余性，提高了版图的处理效率，而且可以降低OPC处理的复杂度和运行时间。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种可以对高MEEF图形增强OPC处理精度的方法。

背景技术

当前大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为：照明系统，掩膜，投影系统及硅片四个系统。图1展示了光刻系统中的光学传输原理。从照明系统的光源202发出的光线经过聚光镜204聚焦后入射至掩膜206，掩膜的开口部分透光；经过掩膜后，光线经投影系统的孔208和透镜210入射至涂有光刻胶的晶片(硅片)212上，这样掩膜图形就复制在晶片上。

当集成电路的最小特征尺寸和间距减小到光刻机所用光源的波长以下时，由于光的干涉和衍射以及显影等问题，导致曝光在晶片上的图形严重失真，我们称之为光学邻近效应(OPE，Optical proximity effect)失真。这些失真引起的偏差可以达到20％，甚至更高，严重影响到最终的良率。

为了使光刻结果更符合版图的设计，一种解决问题的办法就是引入分辨率增强技术(RET，Resolution enhancement technology)。这种技术主要采用光学邻近效应校正(OPC，Optical proximity correction)，移相掩膜技术(PSM，Phase Shift Mask)和离轴照明(OAI，Off axis illumination)等方法，以减少光学邻近效应对集成电路成品率的影响。

然而，随着集成电路的关键尺寸不断缩小，必须提高光刻的分辨率才能满足工艺要求。但是在提高分辨率的同时，会导致掩膜版误差因子(MEEF)的提高。由瑞利公式可知，随着K1值的减小，MEEF值是增大的，而MEEF值越大，则OPC精度就越难于控制。为了解决这些问题，目前比较通行的办法是减少这些高MEEF图形的设计，然而这种方式会给设计者造成不少的限制，而且也不能从根本上解决问题。

传统的OPC处理流程对于具有高MEEF的图形并没有作特别的处理，这样，一旦客户的数据图形比较复杂，则OPC的处理结果不但精度无法保证，而且可能造成处理的时间较长，同时OPC的处理结果也比较随机。这样就需要一种方法，在不对客户设计作特别限定的情况下，增强高MEEF图形的OPC处理精度。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种增强OPC处理精度的方法，用于改善高MEEF图形OPC修正后图形精度较低的问题,可在不大幅增加运行时间的前提下加强OPC的检查，并增强高MEEF图形的OPC精度。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种增强OPC处理精度的方法，利用一包含EDA软件和计算机硬件的信息处理及反馈系统实施，包括以下步骤：

步骤101：根据不同工艺平台的特点，OPC的出版层次和检查数据结果，以及出版热点对应的硅片验证数据，建立MEEF值在设定值以上的工艺热点库图形A₀，并根据工艺热点的表现情况对工艺热点实施分级处理，从而将这些图形A₀存储在系统中；

步骤102：通过系统读入需要处理的原始图形B₀，并与工艺热点库中的图形A₀进行相似度检查和相似度判定；