[发明专利]防伪材料及其制备方法有效
申请号: | 201611048793.X | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106739630B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 郑国义;郑杰思;张瑞 | 申请(专利权)人: | 深圳市循真科技有限公司 |
主分类号: | B42D25/40 | 分类号: | B42D25/40;B42D25/36;B42D25/415 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防伪 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种防伪材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;
(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;
(3)导入培养基:混合所述混合物一和所述混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基;
(4)生成二维纳米片:对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片;
(5)剥离:对所述二维纳米片进行剥离处理,将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离,获得所述防伪材料。
2.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,其特征在于,所述固定形态的培养基设有牺牲层,在步骤(3)中,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域;在步骤(4)中,于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片;在步骤(5)中,对所述二维纳米片进行剥离处理,将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离,获得所述防伪材料,所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
3.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,其特征在于,所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3。
4.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4~13:4~13:0.5~5:7~17:5~15。
5.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,所述步骤(1)中,对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合,混合的时间为10~18个小时,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,所述高温加压处理是在热压炉进行,所述高温加压处理的条件为:在保护气体作用下,气体压强为2.5~7个大气压,温度为1000~1800度,压力为30~40Mpa。
6.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,所述步骤(2)中,H2和Si粉末的摩尔比为1~5:0.5~3。
7.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,所述步骤(2)中,高温加压处理的条件为:压力为26~29Mpa,温度为1500~1700度,反应时间为30~45小时。
8.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中,所述剥离处理为:对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理,所述强溶剂处理为:将所述二维纳米片浸泡于强碱性溶液中3~5分钟;所述弱溶剂处理为:将所述二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中3~5分钟。
9.一种防伪材料,其特征在于,所述防伪材料由权利要求1至8任一项所述的防伪材料的制备方法制得,所述防伪材料包括至少一层二维纳米片,所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素,所述防伪材料的厚度为0.1mm~3mm。
10.如权利要求9所述的防伪材料,其特征在于,所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。
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