[发明专利]一种阶梯脊型半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种阶梯脊型半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层，其特征是：所述第三上包层的厚度大于第二上包层的厚度，所述接触层与第三上包层构成第一条脊，所述第二上包层构成第二条脊，所述第二条脊的宽度大于第一条脊的宽度。

2.根据权利要求1所述阶梯脊型半导体激光器，其特征是，所述第一上包层的厚度为100-300nm。

3.根据权利要求1所述阶梯脊型半导体激光器，其特征是，所述第二上包层的厚度为300-500nm，第三上包层的厚度700-900nm；第二上包层与第三上包层的总厚度为1000-1200nm。

4.根据权利要求1所述阶梯脊型半导体激光器，其特征是，所述第一条脊的宽度为20-50μm。

5.根据权利要求1所述阶梯脊型半导体激光器，其特征是，所述第二条脊的宽度比第一条脊的宽度大20-50μm。

6.一种权利要求1所述阶梯脊型半导体激光器的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

（1）在衬底上依次生长下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层；

（2）在接触层上均匀覆盖一层光刻胶，通过图形曝光在接触层上表面留下与第一条脊宽度一致的第一条形图；

（3）利用湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺，将接触层上第一条形图以外的区域去除，深度至第三上包层底面并露出第二上包层上表面，形成第一条脊；

（4）去除接触层表面光刻胶，再重新在整个上表面覆盖一层光刻胶，并且通过图形曝光在第一条脊上表面及露出的第二上包层上留下与第二条脊宽度一致的第二条形图；

（5）利用湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺，去除第二上包层两侧部分，形成第二条脊，去除表面光刻胶。