[发明专利]适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路

说明书

技术领域

本发明涉及高压供电电路领域，尤其涉及一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路。

背景技术

效率是开关电源的关键性能指标之一，而减小高压供电电路自身的损耗是提高效率的重要措施，但现有的高压供电电路普遍存在损耗较大的问题。现有的高压供电电路直接与经整流后的交流输入电压相连，输出供电电流到LED芯片的供电电容。由于较高的交流输入电压和较大的供电电流导致高压供电电路本身的损耗较大。

另外，在高压供电电路中，当AC输入电压下降到供电电压以下时，为了防止供电电容向AC输入端反灌电流，往往采用二极管串联方式实现单向导通。但由于供电电流较大，要求串联的二极管导通面积需足够大，同时也加大了该二极管的反向漏电流和寄生三极管的影响，降低电路的可靠性。

请参见图1，一种现有的LED驱动芯片的高压供电电路，其高压供电电路本体1’连接一外围电路4’。其中，高压供电电路本体1’包括相连的一高压结型场效应晶体管JFET’、一第一MOS管M0’、一二极管D1、一上拉电阻R0’、一第二MOS管M1’和一迟滞比较器11’；外围电路4’包括：一交流电源AC’、一整流桥41’、一输入电容Cin’和一供电电容Cvcc’。其中，AC输入电压经整流桥41’后输出高压HV’加在高压结型场效应晶体管JFET’的漏端，高压结型场效应晶体管JFET’的栅极接地，其源端通过第一MOS管M0’、二极管D1给供电电容Cvcc’充电。迟滞比较器11’通过供电电压vcc’与内部参考电压vref’比较输出控制信号psdis’。控制信号psdis’驱动第二MOS管M1’实现对第一MOS管M0’的通断控制。其中二极管D1确保电流只能单向导通。可见其具有较高的交流输入电压和较大的供电电流vcc’，将导致高压供电电路本身1’的损耗较大。同时，该电路通过二极管D1串联方式实现单向导通，但由于供电电流较大，要求串联的二极管D1导通面积需足够大，同时也加大了该二极管D1的反向漏电流和寄生三极管的影响，降低电路的可靠性。

其电路关键节点波形图可参见图2，当供电电压vcc’比内部参考电压vref’高出预设的比较器迟滞阈值(即达到供电电压vcc’的放电门槛值——内部参考电压vref’与比较器迟滞阈值之和)时，输出控制信号psdis'＝1，并关断第一MOS管M0’，供电电压vcc’开始放电下降；当供电电压vcc’低于内部参考电压vref’时，输出控制信号psdis’＝0，导通第一MOS管M0’，供电电压vcc’重新开始充电上升。可见，现有技术只能实时监测vcc’与vref’的差值，以判断是否需要充电，但不能判断当前输入电压的高低，如果在输入电压较高时仍给供电电容Cvcc’充电则会导致充电电路本身功耗较大。

发明内容

针对上述现有技术中的不足，本发明提供一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，能够自适应地调节对供电电容的充电过程，以在输入电压高时停止对供电电容充电，从而降低供电电路自身的损耗。

为了实现上述目的，本发明提供一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，包括：

一高压供电电路本体，所述高压供电电路本体单向导通并连接一外围电路，用于提供一供电电压给所述外围电路的一供电电容充电；其中，还包括：

一迟滞调整模块，所述迟滞调整模块的输入端连接所述外围电路以采样输入电压，所述迟滞调整模块的输出端连接所述高压供电电路本体；所述迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号，所述高压电路本体根据所述迟滞阈值调整信号调节所述供电电压的放电门槛值。

优选地，所述高压供电电路本体包括：

一高压结型场效应晶体管，所述高压结型场效应晶体管的栅极和漏极连接所述外围电路；

一第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接所述高压结型场效应晶体管的源极；

一单向导通件，所述单向导通件的输入端连接于所述第一MOS管的源极，输出端连接于所述供电电容的上极板之间，所述供电电容的下极板接地；

一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述高压结型场效应晶体管的源极和所述第一MOS管的栅极之间；

一第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极接地；以及

一迟滞比较器，所述迟滞比较器的正相输入端连接所述单向导通件的输出端，所述迟滞比较器的反相输入端连接一参考电压输入端，所述迟滞比较器的控制输入端连接所述迟滞调整模块的输出端，所述迟滞比较器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。