[发明专利]对存储器的连续页面读取有效
申请号: | 201611050680.3 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN106776355B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 沈骏;张屹华 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0862;G11C7/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 连续 页面 读取 | ||
本发明涉及对存储器的连续页面读取。本文所揭示的标的涉及以连续方式读取存储器的技术。一种方法包括以下步骤:读取第一数据页面并响应于接收到所述第一页面的存储器地址的第一部分而将所述第一数据页面提供到页面缓冲器;响应于接收到所述第一页面的所述存储器地址的额外部分而提取存储在所述页面缓冲器中的所述第一数据页面的字;及在完成所述提取所述第一页面的字之前激活读出放大器以感测第二数据页面。同时读取第一页面的一部分及后续页面的一部分的此过程可提供改进读取速度的益处。
本发明专利申请是申请日为2010年12月24日,申请号为201080070725.8,以及发明名称为“对存储器的连续页面读取”的发明专利申请案的分案申请。
技术领域
本文中所揭示的标的涉及以连续方式读取存储器的技术。
背景技术
存储器装置是用于许多类型的电子装置中,比如,计算机、蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、数据记录器及导航设备(仅举几个实例)。在此些电子装置中,可采用各种类型的非易失性存储器装置,比如NAND或NOR快闪存储器、SRAM、DRAM及相变存储器(仅举几个实例)。通常来说,可使用写入或编程操作以将信息存储在此些存储器装置中,同时可使用读取操作来检索已存储的信息。
发明内容
本发明提供了一种方法,其包括:接收第一数据页面的存储器地址的至少一部分;至少部分地基于接收到所述存储器地址的至少一部分而从页缓冲器提取所述第一数据页面的字;及在开始提取所述第一数据页面的字之后接收第二数据页面。
本发明还提供了一种用于读取数据的控制器,所述控制器经操作以:响应于接收数据页的存储器地址的第一部分而将所述数据页提供到页缓冲器;响应于接收所述存储器地址的额外部分而提取所述页缓冲器中的所述数据页的字;及响应于从所述页缓冲器提取的所述数据页的所述字的监视的计数达到阈值计数而读取后续数据页。
本发明进一步提供了一种系统,其包括:存储器单元阵列;及控制器,其与所述存储器单元阵列通信,所述控制器经操作以:接收第一数据页面的存储器地址的至少一部分;至少部分地基于接收到所述存储器地址的至少一部分而提取页缓冲器中的所述第一数据页面的字;及至少部分地基于从所述页缓冲器提取的所述第一数据页的所述字的监视的计数达到阈值计数而接收第二数据页面。
附图说明
参考以下图式将描述非限制性及非详尽性实施例,其中在贯穿各种图式中,除非另行说明,否则相同参考数字指代相同部件。
图1是根据实施例的连续读取过程的时序图。
图2是根据实施例的连续读取过程的流程图。
图3是根据另一实施例的连续读取过程的时序图。
图4是根据又一实施例的连续读取过程的时序图。
图5是根据又一实施例的连续读取过程的时序图。
图6是图解说明计算系统的示范性实施例的示意图。
具体实施方式
贯穿本说明书,对“一个实施例”或“一实施例”的引用意指连同所述实施例描述的特定特征、结构或特性包含在所主张标的的至少一个实施例中。因此,在贯穿本说明书的各处中出现的词组“在一个实施例中”或“一实施例”不一定全部指同一实施例。此外,特定特征、结构或特性可组合在一个或一个以上实施例中。
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