[发明专利]包括堆叠的半导体芯片的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

芯片层叠结构，包括第一半导体芯片和堆叠在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片，

其中所述第一半导体芯片包括：

第一基板；

在所述第一基板的前表面上的第一电路层；和

在所述第一电路层上的第一连接层，所述第一连接层包括电连接到所述第一电路层的第一金属垫，

其中所述第二半导体芯片包括：

第二基板；

在所述第二基板的前表面上的第二电路层；和

在所述第二电路层上的第二连接层，所述第二连接层包括电连接到所述第二电路层的第二金属垫，

其中所述第一连接层和所述第二连接层彼此面对，

其中所述第一金属垫和所述第二金属垫彼此接触以将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此联接，

其中所述第一金属垫包括通过第一隔板彼此分开的多个第一金属垫部分，和

其中所述第二金属垫包括通过第二隔板彼此分开的多个第二金属垫部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件，当从平面图看时，所述第一金属垫和所述第二金属垫的每个具有矩形形状，和

其中所述第一金属垫和所述第二金属垫彼此交叉。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述第一金属垫和所述第二金属垫的其中所述第一金属垫和所述第二金属垫交叉的区域中，所述多个第一金属垫部分的至少一个与所述多个第二金属垫部分的至少一个接触。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述多个第一金属垫部分布置在所述第一金属垫的长轴方向上，

其中每个所述第一隔板在所述多个第一金属垫部分中彼此相邻的第一金属垫部分之间，

其中所述多个第二金属垫部分布置在所述第二金属垫的长轴方向上，和

其中每个所述第二隔板在所述多个第二金属垫部分中彼此相邻的第二金属垫部分之间。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一金属垫具有在所述第一金属垫的所述长轴方向上的第一长度和在所述第一金属垫的短轴方向上的第一宽度，和

其中所述第一长度与所述第一宽度的比是2或更大。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一连接层还包括：

围绕所述第一金属垫的第一上部绝缘层；和

在所述第一上部绝缘层上并暴露所述第一金属垫的第一接合绝缘层，

其中所述第二连接层还包括：

围绕所述第二金属垫的第二上部绝缘层；和

在所述第二上部绝缘层上并暴露所述第二金属垫的第二接合绝缘层，和

其中所述第一接合绝缘层与所述第二接合绝缘层接触。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中空气间隙在所述第一金属垫和所述第二接合绝缘层之间或在所述第二金属垫和所述第一接合绝缘层之间。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一电路层包括：第一集成电路；和电连接到所述第一集成电路的第一金属线，

其中所述第二电路层包括：第二集成电路；和电连接到所述第二集成电路的第二金属线，

其中所述第一金属垫穿透所述第一上部绝缘层以接触至少一条所述第一金属线，和

其中所述第二金属垫穿透所述第二上部绝缘层以接触至少一条所述第二金属线。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体芯片是逻辑芯片，和

其中所述第二半导体芯片是像素阵列芯片。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二半导体芯片还包括：

在所述第二基板中的至少一个光电转换部分；和

在所述第二基板的后表面上的微透镜，

其中所述第二基板的所述后表面与所述第二基板的所述前表面相反。