[发明专利]一种存储单元的读取方法及装置

说明书

本发明公开了一种存储单元的读取方法及装置，所述方法包括：接收读取指令；根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压；向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压。本发明实施例提供的一种存储单元的读取方法，通过根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压，并向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压，实现了通过改变读取电压来减小存储器单元的电流变化量，进而改善存储单元的读取性能。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储单元的读取方法及装置。

背景技术

快闪存储器(flash memory)是一种非易失性存储器(Non-volatile memory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

在flash存储器中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。图1是一种常见的MOSFET结构图，包括栅极20、源极21、漏极22、P型硅半导体衬底23、以及隧穿氧化层24。其相互间的连接为：P型硅半导体衬底23扩散出两个N型区，P型硅半导体衬底23上方覆盖一层隧穿氧化层24，最后在N型区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：栅极20、源极21和漏极22，源极21和漏极22分别对应两个N型区且栅极20为存储单元的字线，漏极22为存储单元的位线。进一步的，栅极20又包括控制栅极201、多晶硅层间电介质202(Inter Poly Dielectric,IPD)、浮动栅极203，且浮动栅极203存储电荷。flash存储器通过改变浮动栅极203中电子的数量来存储数据。

在对flash存储器中的存储单元进行读取操作时，施加读电压后，存储单元产生电流，将流过存储单元的电流与基准电流通过电流比较器进行比较，若电流比较器输出高电平，则表示所述存储单元当前的存储状态为擦除态，即读出的数据为“1”；若电流比较器输出低电平，则表示所述存储单元当前的存储状态为编程态，即读出的数据为“0”。现有存储单元的读取方法是向存储单元施加固定的读电压，但是由于存储器芯片本身的特性，当存储器芯片的温度高于一定值或者低于一定值时，存储单元的阈值电压会发生变化，如果读取电压一定，阈值电压的变化会导致流过存储单元的电流发生较大的变化，如果施加固定的读电压，要想得到正确的读结果，电流比较器要求能够根据不同的输入，输出正确的高低电平，因此大大增加了电流比较器的设计复杂度，增加了读取难度。

发明内容

本发明实施例提供一种存储单元的读取方法及装置，以实现在不同的存储器芯片温度下施加不同的读取电压，减小存储器单元的电流变化量，进而改善存储单元的读取性能。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的读取方法，该方法包括：

接收读取指令；

根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压；

向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压。

进一步地，所述根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压之前，还包括：

通过温度传感器检测所述存储器芯片的当前温度。

进一步地，所述根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压，包括：

若所述存储器芯片的当前温度低于低温预设值且存储单元的电流温度特性为正，以默认读取电压为基准增大读取电压；

若所述存储器芯片的当前温度高于高温预设值且存储单元的电流温度特性为负，以默认读取电压为基准增大读取电压；

将增大后的读取电压确定为所述当前读取电压。