[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201611051601.0 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106711295B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 杨兰;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 生长压力 生长 应力释放层 外延片 衬底 半导体技术领域 未掺杂GaN层 多量子阱层 光电性能 交替层叠 缓冲层 翘曲度 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂GaN层、n型层、应力释放层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层和p型接触层；
所述应力释放层包括依次生长在所述n型层上的第一子层、第二子层、第三子层，所述第一子层为掺Si的InxGa1-xN层，0≤x＜1，所述第二子层包括交替层叠的InyGa1-yN层和GaN层，0＜y＜1，所述第三子层为掺Si的InzGa1-zN层，0≤z＜1；所述第二子层的生长压力低于所述第一子层的生长压力，所述第三子层的生长压力低于所述第一子层的生长压力。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力为300～900mbar，所述第二子层的生长压力为50～200mbar，所述第三子层的生长压力为50～200mbar。
3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第三子层的生长压力高于所述第二子层的生长压力。
4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度与所述第一子层的生长温度相同或者不同，所述第三子层的生长温度与所述第一子层的生长温度相同或者不同。
5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度低于所述第一子层的生长温度，所述第三子层的生长温度高于所述第二子层的生长温度。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，所述第三子层的生长温度高于所述第一子层的生长温度。
7.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的厚度与所述第一子层的厚度相同或者不同，所述第三子层的厚度与所述第一子层的厚度相同或者不同。
8.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度，所述第三子层的厚度大于所述第一子层的厚度。
9.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第三子层中Si的掺杂浓度与所述第一子层中Si的掺杂浓度相同或者不同。
10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，所述第三子层中Si的掺杂浓度大于所述第一子层中Si的掺杂浓度。
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