[发明专利]集成电路及其操作方法

说明书

技术领域

本发明的实施例大体上涉及一种半导体结构，且更特定地说，本发明的实施例涉及一种用于提供热量的半导体结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了快速增长。IC材料及设计的技术进步已产生多代IC，其中每一代具有比前一代小且复杂的电路。然而，此类进步增加了处理及制造IC的复杂性且需要同步发展IC处理及制造来实现此类进步。在集成电路演进的过程中，将准确控制在(例如)可靠性测试期间提供给受测装置(DUT)的温度来实现测试的目的。

发明内容

在一些实施例中，热晶片卡盘可用于加热DUT。然而，热晶片卡盘无法在有效时段内加热DUT。与热晶片卡盘相比，可通过控制施加到FinFET的功率来快速调整FinFET的温度以依更有效且更可靠的方式将DUT加热到预定温度。在一些实施例中，多晶硅加热器可用于加热DUT。然而，多晶硅加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度不如本文中所描述的半导体装置加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度。流动通过多晶硅加热器的电流将不可避免地劣化材料结构完整性。然而，在本发明的实施例中，电流流动通过FinFET的金属栅极、(例如)MOS装置的沟道或p-n结，因此，不会对本文中所提出的半导体装置加热器造成结构损坏。可预期较长加热器寿命。此外，半导体装置的自加热特性及外加功率与由自加热特性产生的热量之间的相关性可用于准确控制DUT的温度。与多晶硅加热器相比，FinFET归因于其结构限制而更稳定可靠。另外，使用FinFET作为加热器完全匹配FinFET CMOS制程且无额外工作量，其将减少制造成本。

本发明的实施例提供一种集成电路(IC)。所述IC包括受测装置及第一加热器。所述第一加热器定位于所述装置的第一侧处且提供热量来控制所述装置的温度。所述第一加热器包括半导体装置，其具有第一掺杂区域及具有与所述第一掺杂区域的导电类型相反的导电类型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域介接。

本发明的实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包括受测装置及第一组FinFET。所述第一组FinFET定位于所述装置的第一侧处来加热所述装置。通过施加到每一FinFET的功率来控制由所述第一组FinFET产生的热量。

本发明的实施例提供一种用于控制装置的温度的方法。所述方法包括：提供所述装置；及将第一组FinFET布置于所述装置的第一侧处来加热所述装置，其中通过施加到每一FinFET的功率来控制由所述第一组FinFET产生的热量。

附图说明

将从结合附图来解读的以下详细描述最佳地理解本发明实施例的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A是说明根据本发明的实施例的集成电路一示意图。

图1B说明根据本发明的实施例的图1A中的半导体结构的详细结构。

图2是说明根据本发明的实施例的集成电路的示意图。

图3是说明根据本发明的实施例的集成电路的示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施本揭示的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭示。当然，这些仅为实例且并非具限制性。例如，在以下描述中，在第二构件上方或第二构件上形成第一构件可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且还可包含其中可形成介于所述第一构件与所述第二构件之间的额外构件使得所述第一构件与所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭示可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”“上”及其类似者)在本文中可用于使描述一个元件或构件与另外的元件或构件的关系的描述较容易，如图中所说明。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外，还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式(旋转90度或依其它定向)进行定向且还可相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。

下文将详细讨论实施例的制造及使用。然而，应了解，本揭示提供可实施于各种特定情境中的许多适用发明概念。所讨论的特定实施例仅说明制造及使用本揭示的特定方式，且不限制本揭示的范围。

参考图式，图1A是说明根据本发明的实施例的集成电路(IC)1的示意图。IC 1包含受测装置(DUT)10、加热器11及导热衬垫12。