[发明专利]一种半导体器件和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有第一导电类型的半导体衬底；

漂移区，设置在所述半导体衬底中，具有第二导电类型；

体区，设置在所述半导体衬底中所述漂移区的外侧，具有第一导电类型；

漏极，设置在所述漂移区中，具有与所述漂移区相同的导电类型，其中，所述漏极包括沿第一方向延伸部分长度的连接部，以及沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的若干间隔设置的第一指状部，所述第一指状部均与所述连接部连接；

源极，设置在所述体区中，其具有与所述漂移区相同的导电类型，所述源极包括至少一个第二指状部，所述第二指状部设置在相邻的所述第一指状部之间的间隙中；

体区引出区，设置在所述体区中，其中，所述体区引出区包括设置于所述第二指状部的端部的第一部分；

若干个深阱区，间隔设置在所述源极和所述漏极之间的所述漂移区中，并包围所述体区引出区的所述第一部分，其中，所述深阱区具有第一导电类型，每个所述深阱区的顶面低于所述漂移区的顶面，

所述深阱区的俯视形状为长条形，部分所述长条形的所述深阱区的一端与所述体区引出区的所述第一部分与所述第二指状部连接的边界对齐，另一端沿所述第二方向在所述漂移区内延伸部分长度，所述另一端与所述漏极之间存在间隙。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体区引出区的所述第一部分与所述第二指状部连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体区引出区的所述第一部分的俯视形状为半圆形，其中所述边界为直线形。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体区引出区还包括第二部分，所述第二部分与所述第一部分连接，并沿所述第二方向在所述第二指状部内延伸部分长度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极还包括包围所述漏极的环状部，所述第二指状部与所述环状部相连接。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

场氧化层，设置在所述漂移区上；

栅极结构，设置在所述源极和所述漏极之间的半导体衬底上，且所述栅极结构的一侧边缘延伸至所述场氧化层上，以及栅极结构的另一侧边缘延伸至所述体区上。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，每个所述深阱区的顶面位于所述场氧化层的底面的下方。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括分别与所述体区引出区、所述源极、所述漏极电连接的接触孔，以及与所述接触孔电连接的互连金属层。

9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至8之一所述的半导体器件。