[发明专利]蚀刻组合物和使用所述蚀刻组合物的方法

权利要求书

1.用于蚀刻半导体基底的组合物，其包含有效蚀刻量的以下组分：

25-86％重量的水；

0-60％重量的水可混溶性有机溶剂；

1-30％重量的季铵化合物，所述季铵化合物选自苄基三甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵(ETMAH)和其混合物；

1-50％重量的胺化合物，其中所述胺化合物选自单乙醇胺(MEA)、仲胺、叔胺和其混合物；

0-5％重量的缓冲剂；和

0-15％重量的腐蚀抑制剂，

其中所述蚀刻组合物提供Σ形的轮廓，以及所述半导体基底包含硅。

2.权利要求1所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，其包含：

30-46％重量的所述水；

10-50％重量的所述水可混溶性有机溶剂；

2-6％重量的所述季铵化合物；和

10-50％重量的所述胺化合物，

其中所述蚀刻组合物提供Σ形的轮廓，其中(110)/(100)选择性比率为0.3或更大。

3.权利要求1所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，所述组合物包含有效蚀刻量的以下组分：

32-42％重量的所述水；

20-40％重量的所述水可混溶性有机溶剂；

3-5％重量的所述季铵化合物；和

20-40％重量的所述胺化合物；

其中所述蚀刻组合物提供Σ形的轮廓，其中(110)/(100)选择性比率为大于0.3。

4.权利要求3所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，所述组合物包含有效蚀刻量的以下组分：

34-40％重量的所述水；

25-35％重量的所述水可混溶性有机溶剂；和

25-35％重量的所述胺化合物。

5.权利要求1所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，所述组合物包含有效蚀刻量的以下组分：

56-66％重量的所述水；

1-7％重量的所述季铵化合物；和

30-40％重量的所述胺化合物；

其中所述蚀刻组合物包含少于0.5重量％的所述水可混溶性有机溶剂并且提供Σ形的轮廓，其中(110)/(100)选择性比率为0.3或更大。

6.权利要求5所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，所述组合物包含有效蚀刻量的以下组分：

60-64％重量的所述水；

2-6％重量的所述季铵化合物；和

32-38％重量的所述胺化合物。

7.权利要求1所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，所述组合物包含有效蚀刻量的以下组分：

45-62％重量的所述水；

2-6％重量的所述季铵化合物；

5-35％重量的所述胺化合物；和

5-30％重量的所述水可混溶性有机溶剂；

其中所述蚀刻组合物在所述基底中提供Σ形的轮廓，其中(110)/(100)选择性比率为0.3或更大。

8.权利要求7所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，所述组合物包含有效蚀刻量的以下组分：

49-60％重量的所述水；

3-5％重量的所述季铵化合物；

10-30％重量的所述胺化合物；和

5-25％重量的所述水可混溶性有机溶剂；

其中所述蚀刻组合物在所述基底中提供Σ形的轮廓，其中(110)/(100)选择性比率为0.3或更大。

9.权利要求1所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，其中所述胺是一种或多种烷醇胺。

10.权利要求9所述的用于蚀刻半导体基底的组合物，其中所述一种或多种烷醇胺选自单乙醇胺(MEA)、三乙醇胺(TEA)、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、二异丙醇胺、氨基乙基乙醇胺(AEE)、N-甲基乙醇胺和其混合物。