[发明专利]一种霍山石斛的育种方法

权利要求书

1.一种霍山石斛的育种方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将成熟后的米斛种子采收、晒干后置于浸种剂消毒浸泡20～40min，所述浸种剂由以下重量份的原料制备而成：

0.1-0.3份MnSO₄粉末、0.05-0.15份CuSO₄粉末、0.1-0.3份ZnSO₄粉末、0.2-0.4份NiSO₄粉末、0.2-0.5份(NH₄)₆Mo₇O₂₄.4H₂O粉末、10～20份EM原露100倍稀释液；

S2、将消毒浸种完成后的种子播种于自制培养基中培养15-20天，经过种胚膨大、萌发形成绿色圆球茎；培养条件为：每日光照10-15小时，光照度1000-3000lx，温度为20-27℃，空气湿度为80-90％；

S3、搭建由若干10×10cm的育苗槽构成的育苗床，并在每个育苗槽内填充加蕨根发酵粉的自制培养基，将圆球茎转入加蕨根发酵粉的自制培养基中培养23-28天，使得圆球茎堆积在培养基中，并出现叶原基和分化苗；培养条件：温度20-25℃，光照度1100-1900lx，光照时间为13-14h/d；

S4、将圆球茎分化苗用清水冲洗后转入改良1/2MS培养基中培养20-30天，经诱导产生叶原基；

S5、将步骤S4中产生的小苗转入改良MS培养基中进行壮苗，经过60-70天壮苗培养，高度达到1.5-2.5cm的幼苗出现，培养条件：温度25-26℃，光照度1700-2100lx，光照时间为13-14h/d；

S6、将步骤S5得到的幼苗转入加花宝1号和2号的改良培养基进行诱导生根；

S7、将步骤S6得到的生根苗进行炼苗驯化。

2.如权利要求1所述的一种霍山石斛的育种方法，其特征在于，所述自制培养基通过以下步骤制备所得：

步骤一、取苔藓泥炭土36-48份、浮萍超微粉8-10份、树皮块18-22份、硝酸钾0.5-0.9份、碳酸钙纤维2-3份、蔗糖1-2份、磷酸二氢钾0.5-1.5份、硼酸0.2-0.4份、醋糟8-12份、豆饼粉8-12份分别进行粉碎后混合搅拌均匀，加水，使其含水量达60％-70％，搅拌20-40分钟，pH控制在7.0-7.5，其颗粒大小在5mm以下，颗粒粗细度均匀；

步骤二、将拌匀后的原料堆积发酵，做成高1.1-1.3米、底宽1.3-1.7米、长度不限的梯形堆，在其上打一些通气孔，发酵9-10天，发酵结束后再加入适量的水，拌匀，调节含水量在60-70％之间；

步骤三、常压下先将温度升至110-115℃，保温20-25min；然后将温度上升至120-125℃，保温60-70min；再将温度升至130-145℃，在压力为0.13-0.14MPa的情况下保温60-70min，最后再闷置30-35min，停止加热，让其自然冷却到25℃以下，得自制培养基。

3.如权利要求1所述的一种霍山石斛的育种方法，其特征在于，所述加蕨根发酵粉的自制培养基由以下重量份的原料制备而成：

苔藓泥炭土36-48份、浮萍超微粉8-10份、树皮块18-22份、硝酸钾0.5-0.9份、碳酸钙纤维2-3份、蔗糖1-2份、磷酸二氢钾0.5-1.5份、硼酸0.2-0.4份、醋糟8-12份、豆饼粉8-12份、蕨根发酵粉为10-20份。

4.如权利要求1所述的一种霍山石斛的育种方法，其特征在于，所述步骤S4中的改良1/2MS培养基的配方为硝酸钾19000mg/L、硝酸铵16500mg/L、磷酸二氢钾1700mg/L、氨基酸螯合镁3700mg/L、碘酸钙4400mg/L、碘化钾166mg/L、硼酸1240mg/L、硫酸锰2230mg/L、硫酸锌860mg/L、钼酸钠50mg/L、硫酸铜5mg/L、三氯化六氨合钴5mg/L、硫酸亚铁2780mg/L、乙二胺四乙酸二钠3730mg/L、肌醇20000mg/L、甘氨酸400mg/L、盐酸硫胺素100mg/L、盐酸吡哆醇100mg/L、烟酸100mg/L、蕨根发酵粉15g/L、蔗糖30g/L、琼脂6.5-8g/L。