[发明专利]具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件及制作方法

权利要求书

1.一种具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件，其包括：

一封埋装置，其包含一第一半导体芯片、一密封材及一第一路由电路，该第一路由电路设置于该密封材的一第一表面，其中该第一半导体芯片嵌埋于该密封材中，并电性耦接至该第一路由电路；

一散热增益型装置，其包括一散热座及一第二半导体芯片，该散热座具有一屏蔽盖、凸柱及一第二路由电路，且该第二路由电路设置于该屏蔽盖的一表面上，其中(i)该第二路由电路具有一贯穿开口，且该第二半导体芯片设置于该贯穿开口中，并贴附至该屏蔽盖，且(ii)所述凸柱自该屏蔽盖的该表面凸出，并被该第二路由电路侧向环绕；以及

该散热增益型装置叠置于该封埋装置上，且该第二半导体芯片借由一系列第一凸块，电性耦接至该第一路由电路，而该第二路由电路借由一系列第二凸块，电性耦接至该第一路由电路。

2.如权利要求1所述的半导体组件，其中，该散热座的所述凸柱电性连接至该第二路由电路。

3.如权利要求1所述的半导体组件，还包括：一系列第三凸块，其设置于所述凸柱上，以提供该屏蔽盖与该封埋装置间的电性及热性连接。

4.如权利要求1所述的半导体组件，其中，第二路由电路包括侧向延伸超过该封埋装置外围边缘的至少一导线。

5.如权利要求4所述的半导体组件，还包括：一系列端子，其电性耦接至该第二路由电路及该屏蔽盖，并环绕该封埋装置。

6.如权利要求5所述的半导体组件，还包括：一加强层，其覆盖所述端子的侧壁。

7.如权利要求5所述的半导体组件，还包括：一系列第四凸块，其设置于所述凸柱上，以提供该屏蔽盖与所述端子间的电性连接。

8.如权利要求6所述的半导体组件，还包括：一外部路由电路，其设置于该加强层的一外表面上，其中该外部路由电路电性耦接至所述端子。

9.如权利要求1所述的半导体组件，其中，该封埋装置还包括一系列端子，其位于该密封材中，且环绕该第一半导体芯片，并电性耦接至该第一路由电路及该屏蔽盖，且朝该密封材的一相反第二表面延伸。

10.如权利要求9所述的半导体组件，其中，该密封材中的所述端子借由该封埋装置的该第一路由电路，电性连接至所述凸柱及该屏蔽盖。

11.如权利要求9所述的半导体组件，其中，该封埋装置还包括一外部路由电路，其设置于该密封材的该第二表面上，并电性耦接至该密封材中的所述端子。

12.一种具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件制作方法，其包括：

提供一封埋装置，其包含一第一半导体芯片、一密封材及一第一路由电路，该第一路由电路设置于该密封材的一第一表面，其中该第一半导体芯片嵌埋于该密封材中，并电性耦接至该第一路由电路；

借由一系列第一凸块，将一第二半导体芯片电性耦接至该封埋装置的该第一路由电路；

提供一散热座，其包含一屏蔽盖、凸柱及一第二路由电路，其中该第二路由电路具有一贯穿开口，且设置于该屏蔽盖的一表面上，而所述凸柱自该屏蔽盖的该表面凸出，并被该第二路由电路侧向环绕；以及

将该散热座叠置于该封埋装置上，并借由一系列第二凸块，将该散热座的该第二路由电路电性耦接至该封埋装置的该第一路由电路，同时将该第二半导体芯片的位置对应该第二路由电路的该贯穿开口，并使该第二半导体芯片贴附至该屏蔽盖。

13.如权利要求12所述的制作方法，还包括：设置一系列第三凸块于所述凸柱上，以电性耦接该屏蔽盖与该封埋装置。

14.如权利要求12所述的制作方法，还包括：形成一系列端子，其电性耦接至该第二路由电路及该屏蔽盖，并环绕该封埋装置。