[发明专利]电熔丝电路和防止电熔丝误烧写的方法在审
| 申请号： | 201611059573.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108109666A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 罗睿明;陈先敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧写 存储单元阵列 电熔丝电路 电荷泄放 电流提供单元 存储单元 电熔丝 节点处 相交 电荷 泄放 引入 积累 | ||
1.一种电熔丝电路，其特征在于，所述电熔丝电路包括烧写电流提供单元、存储单元阵列、以及电荷泄放单元，其中：
所述烧写电流提供单元用于提供烧写电流以对所述存储单元阵列中的存储单元进行烧写；以及
所述电荷泄放单元用于在一个存储单元烧写结束后、下一个存储单元开启前对所述烧写电流提供单元与所述存储单元阵列相交的节点处进行电荷泄放，以防止误烧写。
2.根据权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，所述电熔丝电路还包括：
读取单元，所述读取单元用于对所述存储单元阵列中的存储单元进行读取；并且
所述电荷泄放单元还用于在一个存储单元读取结束后、下一个存储单元读取开始前对所述读取单元与所述存储单元阵列相交的节点处进行电荷泄放，以防止误烧写。
3.根据权利要求1或2所述的电熔丝电路，其特征在于，所述电荷泄放单元包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管在存储单元的烧写/读取过程中关闭，并在该存储单元烧写/读取结束后开启，以进行所述电荷泄放。
4.根据权利要求3所述的电熔丝电路，其特征在于，所述烧写电流提供单元包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源端接电源、漏端连接所述NMOS晶体管的漏端，所述NMOS晶体管的源端接地。
5.根据权利要求2所述的电熔丝电路，其特征在于，所述读取单元包括灵敏放大器。
6.根据权利要求5所述的电熔丝电路，其特征在于，所述读取单元还包括对读取进行控制的控制单元。
7.根据权利要求6所述的电熔丝电路，其特征在于，所述控制单元包括NMOS晶体管。
8.根据权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，所述存储单元阵列中的每个存储单元包括串联连接的熔丝和NMOS晶体管。
9.一种防止电熔丝误烧写的方法，其特征在于，所述方法包括：提供烧写电流、并对存储单元阵列中的存储单元进行烧写，其中，在一个存储单元烧写结束后、下一个存储单元开启前，对提供烧写电流的单元与所述存储单元阵列相交的节点处进行电荷泄放，以防止误烧写。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：提供读取单元、并对所述存储单元阵列中的存储单元进行读取，其中，在一个存储单元读取结束后、下一个存储单元读取开始前，对所述读取单元与所述存储单元阵列相交的节点处进行电荷泄放，以防止误烧写。
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