[发明专利]桂花的栽培方法

说明书

技术领域

本发明属于果树或类似树木的栽培的技术领域。

背景技术

我国大力推进生态建设和城乡绿化，加快绿化苗木产业的发展，苗圃种植也成为农业种植中重要的一部分。新的苗圃产业结构导致污染排放、污染形式和特点将发生相应的变化，需要有相应的新产业结构生产技术和污染控制技术进行指导，以减少和控制该产业下发生的面源污染。

桂花是木犀属的代表种，我国传统十大名花之一，它以花具有浓馥香气及常年绿色而为人们喜爱并享誉古今中外，因此桂花栽培在现代苗圃种植中占据着重要的地位。由于市场广阔因而对桂花生产的规模化、基地化、集约化栽培已刻不容缓。但因桂花树间空隙大，地表裸露面积较大，在这种粗放的管理方式下极易造成水土流失，土壤有机质含量减少肥力下降等问题，从而增加面源污染的风险。

为了解决水土流失的问题，现有技术中有一篇公告号为CN104054496B的专利文件，公开了一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，经过下列各步骤:

(1)整地施肥:于第一年7～8月，先清除杂草后深翻晒堡，熟化土壤，再于次年2月，在每隔2m的行距上开深沟，在深沟内从下至上依次铺设秸秆草层、土层、有机肥层、覆土层；

(2)桂花树栽种:在步骤(l)的深沟上间隔一行进行挖坑，同一条深沟上所挖坑的坑间距离为2m，于同年3月在坑内栽种独杆桂花树实生苗，此后按常规桂花树栽培方法进行施肥、灌排水、防治病虫害、修剪；

(3)醡浆草栽种:在步骤(2)的独杆桂花树实生苗的行间深沟内按0.4～0.6kg/亩进行撒播醡浆草种子；

(4)醡浆草的栽培:对步骤(3)播种的醡浆草在幼苗期进行1～2次人工除杂草，待醡浆草植株长至高0.02m以上时进行切割，每隔30～45天切割1次，待酿浆草种子播种一年后，按每年3～4次进行切割；

(5)覆盖管理:将步骤(4)切割的醡浆草覆盖在距离桂花树主干20～30cm的四周；

(6)苗圃施肥:于每年3月下旬对每株桂花树施氮肥0.1～0.3kg，于每年7月对每株桂花树施磷肥和钾肥0.1～0.3kg，于每年10月对每株桂花树施底肥2～3kg；其中，施底肥时，每年变换施肥部位，把覆盖的醡浆草耙开，每次在桂花树的东西两侧或南北两侧沿树冠滴水线位置开设深为30-40cm、宽为20～30cm、长为80～100cm的沟，将底肥施入沟中，回填土壤后，把原先覆盖的酿浆草覆盖在其土壤上，即完成桂花苗圃的面源污染防控栽培。

上述方法是通过选用一年生草本植物醡浆草覆盖地表，利用其对降雨截留、入渗、保持和利用性能，减少水土流失，该方法使深度为0～30cm,30～60cm的土层中土壤有机质、碱解氮、有效磷及有效钾均得到增加，从而减少了肥料的投入量；土壤中硝态氮、钱态氮明显减少，苗圃土壤中氮素可迁移养分得到有效控制，减少了面源污染使苗圃得到可持续健康发展。

然而上述方法中栽种醡浆草在桂花周围虽然可以有效解决水土流失的问题，但是当桂花处于幼苗阶段时，根系不发达，而醡浆草慢慢生长靠近桂花，会与桂花争夺养分，导致桂花生长过程中会出现营养不足的现象，影响桂花的生长。

发明内容

本发明的目的在于提供一种桂花的栽培方法，可以避免醡浆草影响桂花生长，从而保证桂花正常生长。

为了达到上述目的，本发明的基础方案提供桂花的栽培方法，包括以下步骤：

S1、整地施肥：先清除杂草后深翻晒堡，熟化土壤，然后在每隔2m的行距上开深沟，在深沟内从下至上依次铺设秸秆草层、土层、有机肥层、覆土层；

S2、铺设隔离层：在经过步骤S1整地后的土地上覆盖隔离层，然后再在隔离层上铺撒土壤，形成上层土壤；

S3、桂花栽种：经过步骤S2处理后的土地上挖植树坑，植树坑穿过上层土壤和隔离层，然后取出桂花幼苗，将桂花幼苗种在植树坑中；

S4、桂花施肥：取出肥料，沿着桂花幼苗的树干施肥；

S5、制作水墙：在步骤S3中的桂花外建立一个环形的水墙，水墙将桂花围在中间，水墙内充满冷水，同时在水墙底部开设开口，开口处安装阀门，水墙上表面安装光照传感器和控制阀门开闭的控制器，当光照传感器达到550lx时，阀门打开；

S6、醡浆草栽种：在步骤S2形成的上层土壤中种植醡浆草，醡浆草种植范围为是以桂花为圆心周向种植，同时待醡浆草植株长至高0.02m以上时进行切割，每隔30～45天切割1次，待酿浆草种子播种一年后，按每年3～4次的频率进行切割；