[发明专利]具有外部和内部地址标记的图像传感器有效
申请号: | 201611060624.8 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN107305900B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 金钟殷;金男镒;金大宇;朴昶洙;禹东铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/544 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 外部 内部 地址 标记 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
有源层,包括像素块和间隙,其中,所述像素块以矩阵形式布置,其中,所述间隙设置在像素块之间;
外部有源地址标记,位于所述有源层之外;
内部有源地址标记,位于所述有源层中和所述间隙中;
栅极层,形成在所述有源层之上并且包括栅极图案;
外部栅极地址标记,位于所述栅极层之外并且与所述外部有源地址标记垂直对齐;
金属层,形成在所述栅极层之上并且包括金属图案;以及
外部金属地址标记,位于所述金属层之外并且与所述外部栅极地址标记垂直对齐;
其中,所述外部有源地址标记指示所述像素块的开始位置、结束位置或具体位置,以及
其中,所述内部有源地址标记将所述像素块彼此区分开。
2.如权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述间隙包括垂直间隙和水平间隙;
其中,所述垂直间隙垂直延伸穿过所述有源层;以及
其中,所述水平间隙水平延伸穿过所述有源层。
3.如权利要求2所述的图像传感器,
其中,所述内部有源地址标记包括内部有源块地址标记和内部有源像素地址标记;
其中,所述内部有源块地址标记位于所述垂直间隙和所述水平间隙的交叉处;以及
其中,所述内部有源像素地址标记位于所述垂直间隙或所述水平间隙中的至少一个处。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中,所述内部有源地址标记具有浅沟槽隔离STI形状。
5.如权利要求3所述的图像传感器,还包括:
内部栅极地址标记,位于所述栅极层中,
其中,所述内部栅极地址标记包括:
内部栅极块地址标记,其与所述内部有源块地址标记垂直对齐;以及
内部栅极像素地址标记,其与所述内部有源像素地址标记垂直对齐;
其中,所述内部栅极块地址标记和所述内部栅极像素地址标记中的每一个位于与所述栅极图案相同的水平高度。
6.如权利要求3所述的图像传感器,还包括:
内部金属地址标记,位于所述金属层中,
其中,所述内部金属地址标记包括:
内部金属块地址标记,其与所述内部有源块地址标记垂直对齐;以及
内部金属像素地址标记,其与所述内部有源像素地址标记垂直对齐;
其中,所述内部金属块地址标记和所述内部金属像素地址标记中的每一个位于与所述金属图案相同的水平高度。
7.一种图像传感器,包括:
有源层,包括像素块和间隙,其中,所述像素块以矩阵形式布置,其中,所述间隙设置在像素块之间;
外部有源地址标记,位于所述有源层之外;
内部有源地址标记,位于所述有源层中和所述间隙中
微透镜层,形成在所述有源层之上并且包括图案区域和无图案区域;以及
微透镜,以矩阵形式设置在所述图案区域中;
其中,无图案区域包括外部无图案区域和内部无图案区域;
其中,外部无图案区域与所述外部有源地址标记对齐;
其中,内部无图案区域与所述内部有源地址标记对齐,
其中,所述外部有源地址标记指示所述像素块的开始位置、结束位置或具体位置,以及
其中,所述内部有源地址标记将所述像素块彼此区分开。
8.如权利要求7所述的图像传感器,还包括:
彩色滤光层,形成在所述微透镜层和所述有源层之间,并且包括滤光区域和非滤光区域;以及
彩色滤光器,以矩阵形式设置在所述滤光区域上,并且不设置在所述非滤光区域上;
其中,非滤光区域包括外部非滤光区域和内部非滤光区域;
其中,外部非滤光区域与所述外部无图案区域和所述外部有源地址标记对齐;以及
其中,所述内部非滤光区域与所述内部无图案区域和所述内部有源地址标记对齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的