[发明专利]一种基于纳米线微电极的电化学传感器

权利要求书

1.一种基于纳米线微电极的电化学传感器，包括纳米线微电极，其特征在于：所述纳米线微电极的纳米线表面镀有导电薄膜，所述纳米线为半导体单晶纳米线，所述半导体单晶纳米线有序排列成阵列结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述半导体单晶纳米线的形状是柱状或尖锥状。

3.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述半导体单晶纳米线的直径为10纳米至50微米，长度为0.1微米至100微米。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述半导体单晶纳米线的材质是硅、砷化镓、磷化铟、氧化钛或者氮化钛。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述半导体单晶纳米线的材质是具有压电效应的氮化镓、氮化镓铟、氮化铟、或氧化锌。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述导电薄膜是金属薄膜、金属化合物薄膜或有机薄膜。

7.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：纳米线的制备方法是化学气相沉积法，分子束外延法或者水热合成法。

8.根据权利要求1所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：在纳米线表面镀导电薄膜的方法是蒸发法、溅射法、喷镀法或者电镀法。

9.根据权利要求1～8任一所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述电化学传感器的检测器采用循环伏安法检测溶液中的待测样品含量，所述纳米线微电极包括衬底和缓冲层，缓冲层上生长有半导体单晶纳米线，缓冲层与半导体单晶纳米线的晶向一致。

10.根据权利要求1～8任一所述的一种基于纳米线微电极的电化学传感器，其特征在于：所述电化学传感器的检测器能够检测纳米线的电导率变化，纳米线微电极包括设置在纳米线两端的金属电极，镀在纳米线表面的导电薄膜的厚度小于500纳米。