[发明专利]一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法和半导体结构

权利要求书

1.一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤:

步骤1，在半导体衬底上沉积形成PETEOS薄膜；

步骤2，向所述半导体衬底所在的工艺腔室内通入第一反应气体和第二反应气体，对第一反应气体和第二反应气体的混合气体进行激发形成等离子体，利用所述等离子体对PETEOS薄膜的上表面进行等离子体处理；所述第一反应气体为氧化性气体，所述第二反应气体为惰性气体或氮气。

2.根据权利要求1所述的一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，所述第一反应气体为氧气或者臭氧。

3.根据权利要求2所述的一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，所述第二反应气体为氮气、氦气和氩气的任意一种或者多种组合。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，步骤2中，工艺腔室内压力范围为1torr～15torr，工艺腔室中射频源的射频功率范围为200W～1000W，工艺腔室内温度范围为200℃～600℃，第一反应气体的流量范围为100sccm～12000sccm，第二反应气体的流量范围为100sccm～10000sccm，等离子体处理的工艺时间范围为2s～20s。

5.根据权利要求4所述的一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，当第一反应气体为氧气时，氧气的流量范围为1000sccm～6000sccm。

6.根据权利要求5所述一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，当第二反应气体为氦气时，氦气的流量范围为1000sccm～5000sccm。

7.根据权利要求6所述一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，所述工艺腔室内压力范围为3torr～10torr，射频源的射频功率范围为500W～1000W，工艺腔室内温度范围为300℃～500℃，等离子体处理的工艺时间范围为2s～8s。

8.一种半导体结构,其特征在于,包括半导体衬底和沉积在所述半导体衬底上的PETEOS薄膜,所述PETEOS薄膜为权利要求1～7任一所述改善PETEOS薄膜缺陷的方法制备而成的PETEOS薄膜。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构使用在半导体存储芯片中，且用于核心存储或读写缓冲。