[发明专利]用于先进光刻的薄膜组件和方法有效
申请号: | 201611063636.6 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN107015431B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 陈炫辰;林云跃;连大成;李信昌;林志诚;陈政宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/62 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 先进 光刻 薄膜 组件 方法 | ||
本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜;多孔薄膜框架;以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。
技术领域
本发明的实施例涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。
背景技术
在半导体集成电路(IC)工业中,IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC,其中,每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中,功能密度(即,每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加,而几何尺寸(即,使用制造工艺可产生的最小组件或线)有所降低。这种按比例缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这样的按比例缩小还增大了处理和制造IC的复杂程度。
光刻工艺形成了用于各种图案化工艺的图案化的光刻胶层,诸如,蚀刻或离子注入。可通过这样的光刻工艺图案化的最小部件尺寸受到投射的辐射源的波长的限制。光刻机器已经经历了从使用具有365纳米的波长的紫外光至使用包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)和193纳米的氟化氩激光(ArF激光)的深紫外(DUV)光,以及至使用波长为13.5纳米的远紫外(EUV)光,在各个阶段提高了分辨率。
在光刻工艺中,使用了光掩模(或掩模)。掩模包括衬底和限定在光刻工艺期间将被转印至半导体衬底的集成电路的图案化的层。该掩模通常包括有薄膜组件,共同称为掩模系统。薄膜组件包括透明薄膜和薄膜框架,其中,该膜安装在薄膜框架上方。薄膜保护掩模免受掉落的颗粒的影响且保持颗粒远离焦点,从而它们不产生图案化的图像,这在使用掩模时可能造成缺陷。膜通常被拉伸且安装在薄膜框架上方,且通过胶或其它粘合剂附接至薄膜框架。可以通过掩模、膜以及薄膜框架形成内部空间。平衡内部压力和外部压力之间的压力差中的缺陷可造成膜变得扭曲、起皱、折断、或其它损坏,从而导致掩模薄膜系统无法使用。因此,用于制造掩模薄膜系统的现有的技术尚未证明在各个方面都是完全令人满意的。
发明内容
本发明的实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置,包括:薄膜,具有导热表面;多孔薄膜框架,其中,所述多孔薄膜框架包括从所述多孔薄膜框架的外表面连续延伸至所述多孔薄膜框架的内表面的多个孔道;以及导热粘合层,将所述薄膜固定至所述多孔薄膜框架。
本发明的另一实施例提供了一种用于制造用于光刻工艺的薄膜组件的方法,包括:制造具有可调节孔尺寸的多孔薄膜框架;形成具有导热表面的薄膜;以及使用导热粘合材料,将所述薄膜附接至所述薄膜框架,从而由所述薄膜框架悬置所述薄膜。
本发明的又一实施例提供了一种用于光刻工艺的方法,包括:提供薄膜装置,其中,所述薄膜装置包括具有导热表面的膜和多孔薄膜框架,所述薄膜框架通过导热粘合材料固定横跨所述薄膜框架的所述膜;将所述薄膜装置安装至掩模上,其中,所述掩模包括图案化的表面;将具有安装在所述掩模上的所述薄膜装置的所述掩模加载至光刻系统且将半导体晶圆加载至所述光刻系统的衬底工作台上;以及实施光刻曝光工艺以将所述图案化的表面的图案从所述掩模转印至所述半导体晶圆。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是,根据工业中的标准实践,对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。
图1是根据一些实施例的光刻系统的示意图。
图2是根据一些实施例的掩模的截面图。
图3A、图3B和图3C分别是根据一些实施例的掩模薄膜系统的顶视图、立体图和沿着线A-A’的截面图。
图4是根据一些实施例的薄膜的截面图。
图5是根据一些实施例的薄膜框架的局部截面图。
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