[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成有第一键合环，在所述第一键合环外侧的所述第一表面的边缘形成有第一切割槽；

提供第二晶圆，所述第二晶圆的表面形成有第二键合环；

将所述第一键合环和所述第二键合环键合，以将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合；

减薄所述第一晶圆的所述第二表面至露出所述第一切割槽，以露出所述第二晶圆的切割道区域；

对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行切割；

当所述第一键合环与外侧的对应的所述第一切割槽之间的切割道的宽度大于200μm时，在所述第一切割槽和所述第一键合环之间还形成有第二切割槽，以避免损伤所述第一键合环和所述第二键合环。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一切割槽为围绕所述第一晶圆边缘的矩形环凹槽结构，所述第一键合环为矩形环结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二切割槽平行于所述矩形环凹槽结构中与之对应的一边，所述第二切割槽的两端与所述矩形环凹槽结构中与所述第二切割槽垂直的两边连通。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一切割槽的宽度为10～200um，深度为30～400um。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一切割槽的宽度为80～200um，深度为100～400um。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用刀片切割、红外切割或者深反应离子刻蚀形成所述第一切割槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一键合环的方法包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆的所述第一表面上形成介电层和键合层；

图案化所述介电层和所述键合层，以在所述第一表面上形成环形结构的所述第一键合环。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一键合环之后，所述方法还进一步包括在所述第一键合环的内侧形成空腔图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在减薄所述第一晶圆之前，所述方法还进一步包括减薄所述第二晶圆的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一键合环使用Al、Au和Cu中的一种；所述第二键合环使用Ge、Au和Cu中的一种。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一键合环和所述第二键合环通过合金键合或热压键合的方式相键合。