[发明专利]一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置

权利要求书

1.一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，包括：1)高温超导磁体系统(6)，所述高温超导磁体系统(6)包括：高温超导带材(1)和传导冷却超导磁体骨架(2)；所述高温超导带材(1)绕制在所述传导冷却超导磁体骨架(2)上；2)传导冷却制冷系统，所述传导冷却制冷系统包括：制冷机冷头(10)、铜导冷连接盘(9)和铜导冷骨架(8)；所述制冷机冷头(10)与所述铜导冷连接盘(9)连接；所述铜导冷骨架(8)的一端与所述铜导冷连接盘(9)连接，所述铜导冷骨架(8)用于对所述高温超导磁体系统(6)进行传导冷却；3)低温杜瓦系统，所述低温杜瓦系统包括低温杜瓦(13)和低温杜瓦盖板(12)；所述的高温超导磁体系统(6)、制冷机冷头(10)、铜导冷连接盘(9)和铜导冷骨架(8)置于所述的低温杜瓦(13)内；所述的低温杜瓦盖板(12)覆盖在所述低温杜瓦(13)的开口上，形成真空密封结构；4)温度测试装置，所述温度测试装置包括：安装在所述高温超导带材(1)的表面的渗碳陶瓷温度传感器(4)，在所述高温超导带材(1)绕制完毕并且所述渗碳陶瓷温度传感器(4)安装后，用环氧固化剂(3)对所述传导冷却超导磁体骨架(2)、所述高温超导带材(1)和所述渗碳陶瓷温度传感器(4)进行浸渍固化；测量用锰铜线(5)，所述测量用锰铜线(5)的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器(4)的引出线通过焊接而彼此连接；导热绝缘层(7)，所述导热绝缘层(7)被包覆在所述铜导冷骨架(8)的外周上，所述测量用锰铜线(5)的中间部分被大致螺旋形状地缠绕在所述导热绝缘层(7)上；温度变送器(14)，所述测量用锰铜线(5)的另一端和所述温度变送器(14)电连接；第一光纤转换器(15)，所述第一光纤转换器(15)通过信号线与所述温度变送器(14)电连接，所述第一光纤转换器(15)用于将电信号转化成光信号；光纤(16)，所述光纤(16)的一端与所述第一光纤转换器(15)光连接，所述光纤(16)用于进行光信号的传输；第二光纤转换器(17)，所述光纤(16)的另一端与所述第二光纤转换器(17)光连接，所述第二光纤转换器(17)用于将光信号再转化为电信号；计算机(18)，所述计算机(18)通过信号线与所述第二光纤转换器(17)电连接，用于对由所述第二光纤转换器(17)转化过来的电信号进行采集、显示、分析和处理；压接铜片(19)，所述压接铜片(19)的中间部分将所述渗碳陶瓷温度传感器(4)直接压靠在所述高温超导带材(1)的表面，所述压接铜片(19)的两端通过焊接直接固定在所述高温超导带材(1)的表面，用以将所述渗碳陶瓷温度传感器(4)紧固在所述高温超导带材(1)的表面；低温高真空脂(20)，所述低温高真空脂(20)填充在所述压接铜片(19)与所述渗碳陶瓷温度传感器(4)和所述高温超导带材(1)之间的缝隙中，用于辅助固定所述渗碳陶瓷温度传感器(4)；所述温度测试装置还包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片U1和热敏电阻VR1，其特征在于，所述负载RL一端分别连接二极管D1正极和220V交流电一端，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接三极管VT1集电极、芯片U1引脚4、芯片U1引脚8、电位器RP1、二极管D4负极和电容C3，所述负载RL另一端分别连接电容C1和整流桥Q引脚1，电容C1另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片U1引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VT1发射极，三极管VT1基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，所述电阻R4另一端连接芯片U1引脚3，芯片U1引脚5连接电容C2另一端，芯片U1引脚6分别连接待完全RP1滑片、电位器RP1另一端和热敏电阻VR1，芯片U1引脚2分别连接热敏电阻VR1另一端和热敏电阻VR2另一端。

2.根据权利要求1所述的碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，所述导热绝缘层(7)由环氧树脂掺杂氮化铝粉末的混合物制作。