[发明专利]片上系统芯片过烧写保护方法及片上系统芯片在审
| 申请号： | 201611066774.X | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106782660A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 胡德才;朱健;余方桃;黄新军;何安;邓冏;袁涛;廖健;傅文海 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 逯长明,许伟群 |
| 地址： | 410100 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 系统 芯片 写保护 方法 | ||
1.一种片上系统芯片，所述片上系统芯片包括一次性可编程存储器，所述一次性可编程存储器包括多个存储单元，其特征在于，包括：上电自动读取模块、OTP读写控制模块、写入模块、读取模块及多个与所述存储单元对应的写保护控制单元，其中：
多个所述写保护控制单元分别与所述存储单元电连接；
所述上电自动读取模块与多个所述写保护控制单元电连接，用于读取写保护控制单元对应的存储单元的逻辑状态信息；
所述写入模块与读取模块的一端与所述存储单元电连接，另一端与所述上电自动读取模块电连接；
所述OTP读写控制模块与所述上电自动读取模块电连接，用于控制写入模块和读取模块执行写入和读取操作。
2.根据权利要求1所述的片上系统芯片，其特征在于，所述写入模块包括导通开关，所述导通开关与所有所述存储单元电连接，并由不同的编程电压控制与对应的存储单元导通。
3.根据权利要求1所述的片上系统芯片，其特征在于，所述读取模块包括导通开关，所述导通开关与所有所述存储单元电连接，并由不同的编程电压控制与对应的存储单元导通。
4.一种片上系统芯片过烧写保护方法，所述片上系统芯片包括一次性可编程存储器，所述一次性可编程存储器包括多个存储单元，其特征在于，包括：
接收存储单元烧写指令；
获取所有存储单元的逻辑状态信息；
根据所有所述存储单元的逻辑状态信息，判断所述存储单元烧写指令对应的存储单元的逻辑状态是否为1；
当所述存储单元烧写指令对应的存储单元的逻辑状态为1时，控制不执行所述存储单元烧写指令对应的操作。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当所述存储单元烧写指令对应的存储单元的逻辑状态为0时，控制执行所述存储单元烧写指令对应的操作。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制执行所述存储单元烧写指令，包括：
控制写入模块向存储单元烧写指令对应的存储单元写入数据。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
接收片上系统芯片的启动指令；
根据所述启动指令，首先启动上电自动读取模块。
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