[发明专利]一种晶圆级封装方法及半导体器件

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底部晶圆和顶部晶圆，所述底部晶圆具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述底部晶圆的第一表面上形成有第一焊垫，所述顶部晶圆具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述顶部晶圆的第一表面上形成有第二焊垫；

将所述顶部晶圆的第二表面键合到所述底部晶圆的第一表面，使所述底部晶圆和所述顶部晶圆无间隙贴合；

形成贯通所述顶部晶圆的第一通孔以露出所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫；

在所述顶部晶圆的第一表面上和所述第一通孔中形成重布线层以连接所述顶部晶圆第一表面上的第二焊垫与所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用熔胶键合的方法将所述顶部晶圆的第二表面键合到所述底部晶圆的第一表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯通所述顶部晶圆的第一通孔的方法包括深反应离子刻蚀。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述重布线层的方法包括：在所述顶部晶圆的第一表面上和所述第一通孔中形成种子层，然后在所述种子层上电镀金属，以形成所述重布线层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电镀金属包括铜。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述种子层包括依次沉积的钛和铜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成贯通所述顶部晶圆的第一通孔的步骤后，还包括在所述顶部晶圆的第一表面上形成第一绝缘层，然后刻蚀所述第一绝缘层，直至露出所述底部晶圆的第一焊垫和所述顶部晶圆的第二焊垫。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成重布线层的步骤后，还包括刻蚀掉所述重布线层不需要的部分的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述重布线层不需要的部分包括在所述顶部晶圆的第一表面上涂覆光刻胶，然后曝光、显影。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀掉所述重布线层不需要的部分后，还包括在所述顶部晶圆的第一表面上的第二焊垫上形成金属凸块的步骤。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成金属凸块的方法包括：在所述顶部晶圆的第一表面上形成第二绝缘层，然后通过曝光、显影，露出所述顶部晶圆的第二焊垫上的重布线层作为输入/输出端口，并在露出的所述第二焊垫上的重布线层上形成金属凸块。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述金属凸块的材料包括锡。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括：

底部晶圆，具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述底部晶圆的第一表面上形成有第一焊垫；

顶部晶圆，具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述顶部晶圆的第一表面上形成有第二焊垫；

贯通所述顶部晶圆的第一通孔，所述第一通孔露出所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫；

在所述顶部晶圆的第一表面上和所述第一通孔中形成的重布线层，所述重布线层连接所述顶部晶圆的第一表面上的第二焊垫与所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫，

其中，所述底部晶圆和所述顶部晶圆无间隙贴合。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述顶部晶圆的第一表面与所述重布线层之间形成的第一绝缘层。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述重布线层包括：种子层和在所述种子层上电镀的金属。